|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
М. И. Клингер, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “О локализованных возбужденных состояниях центров с отрицательной
корреляционной энергией в стеклах”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1869–1873  |
| 2. |
В. М. Сирацкий, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Электронные свойства бистабильных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1795–1799 |
| 3. |
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, М. И. Клингер, “Двухузельная модель дефектов типа $A$-центров”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1153–1157 |
|
1989 |
| 4. |
В. И. Шаховцов, С. И. Шаховцова, М. М. Шварц, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Подвижность носителей тока в твердых растворах
Ge$_{1-x}$Si$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 48–51 |
|
1988 |
| 5. |
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Особенности проводимости полупроводников, обусловленные дефектами
с сильным электрон-решеточным взаимодействием”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 547–550 |
|
1987 |
| 6. |
И. Г. Атабаев, М. С. Саидов, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Л. И. Шпинар, А. Юсупов, “О механизме дефектообразования в сплавах Si$_{1-x}$Ge$_{x}$
при электронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 570–573 |
| 7. |
Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Особенности процессов радиационного дефектообразования в кристаллах
Si$\langle$Ge$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 562–565 |
|
1986 |
| 8. |
М. И. Клингер, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Спектральные и термодинамические свойства электронов в щели по подвижности стеклообразных систем”, Физика твердого тела, 28:2 (1986), 470–480  |
|
1985 |
| 9. |
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Статистика носителей тока в $p$-Si с вакансиями”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1845–1848 |
|
1984 |
| 10. |
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “К теории проводимости и эффекта Холла в неоднородных полупроводниках”, Физика твердого тела, 26:6 (1984), 1725–1730 |
|
1983 |
| 11. |
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “К теории эффекта Нернста–Эттингсгаузена в неоднородных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1691–1694 |
|
Обратная связь: