Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Дмитриев Владимир Андреевич
(1955–2008)

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 23
Научных статей: 23

Статистика просмотров:
Эта страница:94
Страницы публикаций:939
Полные тексты:375
доктор физико-математических наук (1996)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
Сайт: http://nitrides-conf.ioffe.ru/dmitriev.htm

Научная биография:

Дмитриев, Владимир Андреевич. Получение и исследование $P$-$n$-структур на основе карбида кремния, выращенных жидкостной эпитаксией : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Дмитриев Владимир Андреевич ; [Место защиты: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе]. - Ленинград, 1986. - 19 с.

Дмитриев, Владимир Андреевич. $P$-$n$-структуры на основе широкозонных полупроводников: $SiC$ и $A_3N$. Разработка технологии, получение и исследование : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1996. - 48 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person159916
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=106621

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1992
1. К. В. Василевский, В. А. Дмитриев, В. В. Новожилов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Обращенная меза-структура из карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  28–31  mathnet  isi
2. В. А. Дмитриев, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, “Высокотемпературный синий светодиод”, Письма в ЖТФ, 18:3 (1992),  19–23  mathnet
1991
3. В. А. Дмитриев, Л. Б. Елфимов, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, И. П. Никитина, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, М. А. Чернов, “Твердые растворы SiC$-$AlN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  50–53  mathnet  isi
4. В. А. Дмитриев, Л. Б. Елфимов, Н. Д. Ильинская, С. В. Рендакова, “Локальная эпитаксия карбида кремния из жидкой фазы”, Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  77–80  mathnet  isi
5. В. А. Дмитриев, А. Е. Черенков, “Легирование карбида кремния азотом при бесконтейнерной жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  43–46  mathnet  isi
6. В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с $p{-}n$-затвором”, Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  1–5  mathnet  isi
1990
7. Б. И. Вишневская, В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Зеленые SiC-6H светодиоды”, Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  56–59  mathnet  isi
8. В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Светодиод с $\lambda_{\max}\simeq 398$ нм”, Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  50–52  mathnet  isi
1989
9. В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Фиолетовый SiC-$4C$-светодиод”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  39–43  mathnet
10. И. М. Баранов, Н. А. Белов, В. А. Дмитриев, Н. Г. Иванова, Т. С. Кондратьева, И. П. Никитина, В. Е. Челноков, В. Ф. Шаталов, Р. Н. Эрлих, “Кристаллизация монокристаллических слоев карбида кремния на кремнии”, Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  50–52  mathnet  isi
1988
11. Б. И. Вишневская, В. А. Дмитриев, И. Д. Коваленко, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. С. Родкин, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “Синие SiC-$6H$-светодиоды”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  664–669  mathnet
12. В. Н. Андреев, И. М. Баранов, В. А. Дмитриев, А. В. Суворов, В. Е. Челноков, Ф. А. Чудновский, Э. М. Шер, А. В. Шумилов, А. Н. Янута, “Пленки ВТСП Y$-$Ba$-$Cu$-$O”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1779–1781  mathnet  isi
13. В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором”, Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  289–293  mathnet  isi
1987
14. В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1168–1171  mathnet  isi
15. С. Н. Вайнштейн, В. А. Дмитриев, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Динистор на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 13:16 (1987),  991–993  mathnet  isi
16. С. Н. Вайнштейн, В. А. Дмитриев, М. Е. Левинштейн, С. В. Рендакова, “О шнуровании тока в карбидкремниевых Р-П-переходах при пробое”, Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  741–743  mathnet  isi
1986
17. В. Ф. Бритун, В. А. Дмитриев, И. В. Емельянова, Н. Г. Иванова, И. В. Попов, М. А. Чернов, В. Г. Циунелис, “Эпитаксиальные слои карбида кремния, полученные из раствора–расплава”, ЖТФ, 56:1 (1986),  214–217  mathnet  isi
18. В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Ограничение напряжения с помощью карбидкремниевых Р-П-структур”, Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  773–776  mathnet  isi
19. В. А. Дмитриев, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Трехцветный сине-зелено-красный индикатор, сформированный на одном монокристалле”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  541–543  mathnet  isi
20. В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, В. С. Родкин, В. Е. Челноков, “Индикаторы с синим свечением на основе карбида кремния, выращенного бесконтейнерной жидкостной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:7 (1986),  385–388  mathnet  isi
1985
21. В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, И. В. Попов, В. Е. Челноков, “Туннельный диод на основе $Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  976–978  mathnet  isi
22. В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, В. Е. Челноков, “Карбидкремниевые светодиоды с излучением в сине-фиолетовой области спектра”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  246–248  mathnet  isi
23. В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, И. В. Коркин, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, Т. А. Сидорова, А. М. Стрельчук, В. Е. Челноков, “Карбидкремниевые Р-П-структуры, полученные жидкостной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  238–241  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024