|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1987 |
| 1. |
И. Н. Арсентьев, Н. Ю. Антонишкис, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. Б. Комиссаров, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные эффекты в жидкофазных
InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40
до 300 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 178–181  |
| 2. |
Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные
InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии
(${\lambda=0.79}$ мкм, ${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$,
${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 162–164 |
|
1986 |
| 3. |
Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, “Фотолюминесценция
InGaAsP/GaAs квантово-размерных гетероструктур, полученных методом
жидкостной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2145–2149 |
| 4. |
В. Б. Халфин, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, “Времена собственных излучательных переходов в квантово-размерных
гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1816–1822 |
| 5. |
Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, В. В. Красовский, А. Е. Свелокузов, А. В. Чудинов, “Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации
в гетероструктурах в системах
Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 708–712 |
| 6. |
Ж. И. Алфёров, Б. Я. Бер, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, В. В. Красовский, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, В. П. Улин, “Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 12:6 (1986), 335–341  |
|
1985 |
| 7. |
В. А. Вилькоцкий, Д. С. Доманевский, С. В. Жоховец, В. В. Красовский, М. В. Прокопеня, “Природа неосновных примесных состояний в сильно легированных
кристаллах”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1660–1666 |
| 8. |
Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. П. Чалый, “0.677 мкм — непрерывный инжекционный РО
InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1115–1118 |
| 9. |
Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Б. Я. Бер, Л. С. Вавилова, В. В. Красовский, А. В. Чудинов, “Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных
InGaAsP-гетероструктур с активными областями
${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$ см”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1108–1114 |
| 10. |
Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, А. В. Тикунов, “$Al\,Ga\,As/Ga\,As$ гетеролазеры раздельного ограничения, полученные модифицированным методом жидкостной эпитаксии ($I_{\text{п}}=260$ А/см$^{2}$, $\lambda= 0.86-0.83$ мкм, $T= 300$ K)”, Письма в ЖТФ, 11:23 (1985), 1409–1413 |
|
1984 |
| 11. |
Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, “Низкопороговые инжекционные
InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом
жидкостной эпитаксии
(${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$,
${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1655–1659 |
|
Обратная связь: