|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. Н. Каряев, А. М. Крещук, В. А. Писаревская, “Особенности электрофизических свойств GaAsSb, легированного
амфотерной примесь — германием”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2219–2222  |
| 2. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, С. В. Новиков, Д. Н. Шелковников, “Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью —
висмутом и акцепторной примесью — цинком”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2217–2219 |
| 3. |
А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев, “К вопросу о составе и стехиометрии поверхности GaAs, получаемом
в процессе жидкофазной эпитаксии
при изовалентном легировании”, Письма в ЖТФ, 16:19 (1990), 59–61  |
| 4. |
А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, В. Н. Каряев, М. Ю. Тимашев, “Поверхность арсенида галлия, легированного изовалентной примесью —
сурьмой”, Письма в ЖТФ, 16:2 (1990), 43–47 |
|
1989 |
| 5. |
Ю. Ф. Бирюлин, Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, В. А. Писаревская, Е. В. Соловьева, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Об одной особенности донора — серы в GaP”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1070–1075 |
|
1988 |
| 6. |
В. М. Амусья, Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе
InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 342–344 |
| 7. |
А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев, Ю. В. Шмарцев, “Особенности поверхности арсенида галлия, выращенного из висмутового
раствора$-$расплава”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1794–1799 |
| 8. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, С. Г. Конников, Я. И. Отман, В. В. Третьяков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, В. А. Шульбах, Л. Е. Эпиктетова, “Твердые растворы в системе Ga$-$Sb$-$Bi”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1651–1655 |
|
1987 |
| 9. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич, “Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2201–2209 |
| 10. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова, “Влияние изовалентного легирования индием на
« природные» акцепторы в антимониде галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1118–1124 |
| 11. |
Ю. Ф. Бирюлин, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких
акцепторов в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 949–952 |
| 12. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1264–1267 |
| 13. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. Г. Никитин, Д. Л. Нугманов, В. В. Чалдышев, “Компенсация остаточных примесей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As:Bi$”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1255–1259 |
| 14. |
Ю. Ф. Бирюлин, Г. С. Вильдгрубе, В. Н. Каряев, А. И. Климин, Т. Н. Пальтс, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотокатоды с отрицательным электронным сродством на основе твердых растворов $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}$ и их применение в фотоумножителях”, Письма в ЖТФ, 13:14 (1987), 833–835 |
| 15. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Т. В. Чернева, Ю. В. Шмарцев, “Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 188–191 |
|
1986 |
| 16. |
Р. Х. Акчурин, Ю. Ф. Бирюлин, С. А. Исламов, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция InP, легированного висмутом”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1258–1261 |
| 17. |
Ю. Ф. Бирюлин, А. Я. Вуль, В. Н. Каряев, С. В. Кидалов, Ю. В. Шмарцев, “Р-П структуры на основе твердых растворов $Al\,As-Ga$, $As-Ga\,Sb$ с управляемой полосой спектральной чувствительности”, Письма в ЖТФ, 12:12 (1986), 764–767 |
| 18. |
Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об "очистке" арсенида галлия висмутом”, Письма в ЖТФ, 12:5 (1986), 274–276 |
|
1985 |
| 19. |
Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об изменении степени компенсации мелких примесей
при изовалентном легировании арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1104–1107 |
| 20. |
Л. И. Антонова, Ю. Ф. Бирюлин, А. Я. Вуль, В. П. Денисов, Л. Г. Забелина, Р. Р. Ичкитидзе, А. И. Климин, С. Е. Козлов, Ю. В. Шмарцев, “Арсенид-галлиевый фотокатод с интегральной чувствительностью $3200$ мкА/лм”, Письма в ЖТФ, 11:10 (1985), 602–605 |
|
1984 |
| 21. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной
эпитаксии”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1394–1399 |
| 22. |
Ю. Ф. Бирюлин, Р. Р. Ичкитидзе, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О зависимости квантового выхода фотолюминесценции в твердом растворе
GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ от состава и температуры”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1251–1255 |
|
1983 |
| 23. |
Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, М. Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция твердых растворов
GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 108–114 |
| 24. |
Ю. Ф. Бирюлин, С. П. Вуль, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого
раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$)
и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 103–107 |
| 25. |
Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О корреляции в расположении мелких примесей в арсениде галлия,
легированном индием и сурьмой”, Письма в ЖТФ, 9:4 (1983), 242–245 |
| 26. |
Ю. Ф. Бирюлин, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)”, Письма в ЖТФ, 9:3 (1983), 155–158 |
|
Обратная связь: