|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Т. В. Торчинская, Т. Г. Бердинских, О. Д. Смиян, “Природа нестабильности свечения в светоизлучающих
CaP : N-структурах”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 454–460  |
|
1991 |
| 2. |
Т. В. Торчинская, В. А. Воротинский, Ж. С. Абдуллаев, М. К. Шейнкман, “Кинетика деградации красных AlGaAs светоизлучающих диодов”, ЖТФ, 61:2 (1991), 98–103  |
|
1990 |
| 3. |
Т. В. Торчинская, А. Г. Карабаев, М. К. Шейнкман, “Инжекционно-стимулированная трансформация спектров люминесценции
зеленых GaP : N-светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1337–1348 |
|
1989 |
| 4. |
Т. В. Торчинская, Т. Г. Бердинских, А. Г. Карабаев, О. Д. Смиян, А. А. Трофимов, В. А. Денисюк, Б. И. Вишневская, Л. М. Коган, “Деградация зеленых Ga : P светоизлучающих диодов и факторы,
на нее влияющие”, ЖТФ, 59:11 (1989), 134–138 |
| 5. |
Т. В. Торчинская, Ж. С. Абдуллаев, “О причинах деградации электролюминесценции красных
AlGaAs$-$GaAs гетероструктур”, ЖТФ, 59:7 (1989), 175–178 |
| 6. |
Б. И. Лев, Т. В. Торчинская, П. М. Томчук, М. К. Шейнкман, “Кинетика инжекционно-стимулированного преобразования дефектов
в светоизлучающих GaAs : Si-структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1529–1538 |
|
1988 |
| 7. |
Т. В. Торчинская, А. Г. Карабаев, Ж. С. Абдуллаев, А. А. Шматов, М. К. Шейнкман, “Некоторые причины нестабильности свечения GaP : N светодиодов”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1710–1716 |
|
1987 |
| 8. |
Т. В. Торчинская, М. К. Шейнкман, “Связь кинетики деградации $Ga\,P:N$, $Zn-O$ светодиодов с интенсивностью красной полосы свечения”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1221–1227 |
|
1986 |
| 9. |
Т. В. Торчинская, А. А. Шматов, В. И. Строчков, М. К. Шейнкман, “Преобразование глубоких центров в процессе деградации
GaP$\langle$N, Zn$-$O$\rangle$ светоизлучающих диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 701–707 |
| 10. |
А. П. Здебский, В. Л. Корчная, Т. В. Торчинская, М. К. Шейнкман, “Стимулированное ультразвуком изменение электрических и люминесцентных характеристик $In\,Ga\,As:Si$ световодов”, Письма в ЖТФ, 12:2 (1986), 76–81 |
|
1985 |
| 11. |
Т. В. Торчинская, Г. Н. Семёнова, Т. Г. Бердинских, “Эффект малых доз и деградационная стойкость $In_x\,Ga_{1-x}\,As:Si$ светоизлучающих диодов”, Письма в ЖТФ, 11:18 (1985), 1114–1118 |
|
1984 |
| 12. |
Т. В. Торчинская, Е. Ю. Брайловский, Г. Н. Семенова, Л. А. Матвеева, М. А. Мирзажанов, Т. Г. Бердинских, И. Б. Пузин, Н. Ариас, “Избыточные токи и структурные дефекты
в In$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Si-светодиодах”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1397–1402 |
|
Обратная связь: