|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
1. |
С. Б. Грязнов, В. Н. Добровольский, “Ток Ричардсона$-$Дэшмана через границу двух сред с разными эффективными массами электронов”, Физика твердого тела, 34:8 (1992), 2655–2658 |
2. |
В. Н. Добровольский, С. Б. Грязнов, “Образование электронно-дырочных пар и лавинный пробой
$p{-}n$-перехода при градиентах дрейфовых скоростей электронов и дырок”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1366–1374 |
3. |
В. Н. Добровольский, А. В. Романов, “Ударная ионизация и лавинный пробой в $p{-}n$-переходах, находящихся
в неоднородном температурном поле”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1361–1365 |
4. |
В. Н. Добровольский, Г. К. Нинидзе, В. Н. Петрусенко, “Ударная ионизация в МТДП структурах с внутренним усилением тока”, Письма в ЖТФ, 18:12 (1992), 73–77 |
|
1990 |
5. |
В. Н. Добровольский, А. Д. Сырых, “Дуальные датчики Холла”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1103–1106 |
6. |
В. Н. Добровольский, В. Н. Ловейко, Г. К. Нинидзе, В. Н. Петрусенко, “Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неосновных
носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1067–1071 |
|
1989 |
7. |
В. Н. Добровольский, М. Н. Винославский, С. П. Павлюк, Н. Г. Коломицкий, “О механизме работы диодного стабилизатора тока”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 416–420 |
|
1988 |
8. |
В. Н. Добровольский, С. Т. Жубаев, Г. К. Нинидзе, “Колоколообразные $C{-}V$ характеристики и отрицательная
дифференциальная проводимость МТДП структур”, Письма в ЖТФ, 14:5 (1988), 400–404 |
|
1987 |
9. |
В. Н. Добровольский, С. П. Павлюк, А. В. Романов, “Распределение электронно-дырочной плазмы в осциллирующем вдоль тока
магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 748–751 |
|
1986 |
10. |
В. Н. Добровольский, С. Т. Жубаев, Г. К. Нинидзе, “Эффекты высокополевых углов в МТДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1572–1576 |
11. |
Д. Л. Воробьев, В. Н. Добровольский, “Полевое управление скоростью биполярного дрейфа носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1248–1252 |
12. |
В. Н. Добровольский, С. Т. Жубаев, Г. К. Нинидзе, Н. П. Федосеев, “Индуктивный адмитанс МОП-структур”, Письма в ЖТФ, 12:1 (1986), 55–59 |
|
1985 |
13. |
В. Н. Добровольский, С. П. Павлюк, И. Е. Пальцев, А. В. Романов, “Излучение электронно-дырочной плазмы, содержащей термический
градиентно-дрейфовый домен”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1513–1515 |
14. |
В. Н. Добровольский, Д. Л. Воробьев, С. П. Павлюк, “Ослабление инжекции и эксклюзия, стимулированные магнитным полем”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 687–691 |
|
1984 |
15. |
В. Н. Добровольский, Д. Л. Воробьев, С. П. Павлюк, “Стимулированная магнитным полем эксклюзия носителей заряда”, Письма в ЖТФ, 10:18 (1984), 1131–1135 |
|
1983 |
16. |
В. Н. Добровольский, С. П. Павлюк, Л. В. Ищук, “Домен сильного поля в инжектированной электронно-дырочной плазме
германия”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2079–2081 |
17. |
В. Н. Добровольский, А. Н. Кролевец, “Холловский ток и его использование для исследования
полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 3–12 |
|