|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
С. В. Ордин, Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, В. Н. Пантелеев, “Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 921–924   ; S. V. Ordin, Yu. V. Zhilyaev, V. V. Zelenin, V. N. Panteleev, “Local thermoelectric effects in wide-gap semiconductors”, Semiconductors, 51:7 (2017), 883–886 |
|
2016 |
| 2. |
Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Н. К. Полетаев, А. П. Скворцов, “Спектры поглощения объемных кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er$^{3+}$”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 91–96 ; Yu. V. Zhilyaev, V. V. Zelenin, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, N. K. Poletaev, A. P. Skvortsov, “Absorption spectra of bulk aluminum nitride crystals doped with Er$^{3+}$ ions”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 156–159 |
1
|
|
1991 |
| 3. |
А. В. Акимов, Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, Н. К. Полетаев, В. Г. Шофман, “Экспериментальное наблюдение дырок в $n$-GaAs, высвободившихся
в результате оже-распада локализованных состояний”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 713–717 |
| 4. |
Т. В. Есипова, Ю. В. Жиляев, А. Г. Кечек, Н. И. Кузнецов, Г. Р. Маркарян, М. Г. Мынбаева, “Эпитаксиальные слои GaAs с фоновым акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 17:2 (1991), 28–32  |
|
1990 |
| 5. |
Ю. В. Жиляев, В. В. Россин, Т. В. Россина, В. В. Травников, “Резонансная экситонная люминесценция GaAs: переход от поляритонной модели к модели независимых экситонов и фотонов”, Физика твердого тела, 32:6 (1990), 1801–1805 |
| 6. |
Ю. В. Жиляев, Р. Н. Кютт, И. П. Никитина, “Нестехиометрия состава в пленках GaAs, выращенных методом газофазной
эпитаксии”, ЖТФ, 60:11 (1990), 201–203 |
| 7. |
Ю. В. Жиляев, И. П. Ипатова, А. Ю. Куликов, Ю. Н. Макаров, О. П. Чикалова-Лузина, “Анализ состава газовой фазы в зоне источника методом УФ поглощения
при выращивании GaAs в хлоридной газотранспортной системе”, ЖТФ, 60:7 (1990), 143–150 |
| 8. |
В. Л. Достов, Ю. В. Жиляев, И. П. Ипатова, А. Ю. Куликов, “Влияние обмена подложки с газовой фазой на кристаллизацию
из газотранспортной системы”, ЖТФ, 60:3 (1990), 90–96 |
| 9. |
Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, Н. Назаров, И. П. Никитина, Н. К. Полетаев, Д. В. Сергеев, В. В. Травников, Л. М. Федоров, “Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида
галлия, выращенных на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1303–1305 |
| 10. |
А. В. Акимов, Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, В. Г. Шофман, “Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации
в эпитаксиальном $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 82–92 |
| 11. |
В. Л. Достов, Ю. В. Жиляев, И. П. Ипатова, А. Ю. Куликов, “Оптимизация режима роста арсенида галлия в хлоридной газотранспортной
системе”, Письма в ЖТФ, 16:24 (1990), 77–82 |
|
1988 |
| 12. |
Л. Д. Быховский, Ю. В. Жиляев, И. П. Ипатова, А. Ю. Куликов, Ю. Н. Макаров, “Математическое моделирование процессов в хлоридных газотранспортных
реакторах”, ЖТФ, 58:6 (1988), 1229–1233 |
| 13. |
Ю. В. Жиляев, В. В. Россин, Т. В. Россина, В. В. Травников, “Использование спектров поляритонной люминесценции
для характеристики качества кристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1885–1888 |
| 14. |
С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых
тиристорных структур”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1134–1137 |
| 15. |
С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Визуализация процесса субнаносекундного переключения арсенидгаллиевых
диодных структур”, Письма в ЖТФ, 14:16 (1988), 1526–1530 |
| 16. |
А. С. Арджанов, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. В. Закс, Н. И. Кузнецов, А. Б. Слуцкий, В. Я. Стояновский, В. Е. Челноков, “Высоковольтные арсенидгалиевые силовые диоды большой площади”, Письма в ЖТФ, 14:13 (1988), 1153–1156 |
| 17. |
В. М. Ботнарюк, Ю. В. Жиляев, А. Г. Кечек, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, М. И. Шульга, “Доминирующие рекомбинационные центры в слоях
$n$-GaAs, полученных осаждением из газовой фазы”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 181–185 |
|
1987 |
| 18. |
В. Г. Голубев, Ю. В. Жиляев, В. И. Иванов-Омский, Г. Р. Маркарян, А. В. Осутин, В. Е. Челноков, “Фотоэлектрическая лазерная магнитоспектроскопия мелких доноров
в высокочистом GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1771–1777 |
| 19. |
С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Распространение включенного состояния в арсенид-галлиевых тиристорах”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 129–133 |
|
1986 |
| 20. |
Ю. В. Жиляев, Г. Р. Маркарян, В. В. Россин, Т. В. Россина, В. В. Травников, “Поляритонная люминесценция GaAs”, Физика твердого тела, 28:9 (1986), 2688–2695 |
| 21. |
В. М. Ботнарюк, Ю. В. Жиляев, В. В. Россин, Т. В. Россина, В. В. Травников, “Влияние интенсивности возбуждения на люминесценцию поляритонов в арсениде галлия”, Физика твердого тела, 28:1 (1986), 201–207 |
| 22. |
С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых
и кремниевых тиристоров”, ЖТФ, 56:7 (1986), 1343–1347 |
| 23. |
О. А. Беляева, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, Ю. В. Левинштейн, В. Е. Челноков, “Субнаносекундное включение арсенидгаллиевых тиристоров”, Письма в ЖТФ, 12:15 (1986), 925–928 |
|
1984 |
| 24. |
А. Г. Астафуров, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, В. Е. Челноков, “Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой
площади”, Письма в ЖТФ, 10:23 (1984), 1430–1433 |
| 25. |
В. М. Ботнарюк, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Сильноточный быстродействующий коммутатор на основе GaAs динисторной
структуры”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984), 385–388 |
|
1983 |
| 26. |
С. Н. Вайнштейн, И. И. Диакону, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Основные параметры включения
арсенид-галлиевых тиристоров”, ЖТФ, 53:3 (1983), 573–575 |
| 27. |
С. Н. Вайнштейн, И. И. Диакону, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Распространение включенного состояния в арсенидгаллиевых тиристорах”, Письма в ЖТФ, 9:9 (1983), 546–549 |
| 28. |
Г. А. Ашкинази, Ю. В. Жиляев, В. Е. Челноков, М. И. Шульга, “Силовые диоды с барьером Шоттки
на арсениде галлия”, Письма в ЖТФ, 9:7 (1983), 414–417 |
|
Обратная связь: