|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
И. К. Блохин, В. А. Холоднов, “О влиянии неоднородности поглощения сигнального излучения
на частотную характеристику высокоомного примесного фоторезистора”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 742–749  |
| 2. |
А. А. Другова, В. А. Холоднов, “О немонотонной зависимости времен жизни неравновесных носителей
в полупроводниках от концентрации рекомбинационных центров”, Письма в ЖТФ, 18:1 (1992), 23–27 |
|
1990 |
| 3. |
В. В. Осипов, А. А. Панкратов, В. А. Холоднов, “Шумы и отношение сигнала к шуму лавинных гетероструктур с тонким
широкозонным слоем”, ЖТФ, 60:6 (1990), 121–127  |
|
1989 |
| 4. |
В. В. Осипов, В. А. Холоднов, “Туннельные токи в лавинных гетерофотодиодах”, ЖТФ, 59:1 (1989), 80–91 |
| 5. |
И. К. Блохин, А. А. Рахубовский, В. А. Холоднов, “О частотных свойствах изотипного контакта к высокоомному
полупроводнику”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1747–1751 |
| 6. |
В. В. Осипов, А. А. Панкратов, В. А. Холоднов, “Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким
широкозонным слоем”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1148–1155 |
|
1988 |
| 7. |
В. В. Осипов, А. А. Панкратов, В. А. Холоднов, “Характеристики фотоприемников с внутренним усилением на основе
лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем”, Письма в ЖТФ, 14:20 (1988), 1889–1895 |
| 8. |
В. А. Холоднов, “О соотношегии Миллера
для коэффициентов лавинного умножения носителей
в $p{-}n$-переходах”, Письма в ЖТФ, 14:15 (1988), 1349–1355 |
| 9. |
В. А. Холоднов, “О возможной связи между коэффиентами ударной ионизации электронов
и дырок в полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 14:6 (1988), 551–556 |
|
1987 |
| 10. |
В. В. Осипов, В. А. Холоднов, “Напряжение лавинного пробоя тонкого диода”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2078–2081 |
|
1986 |
| 11. |
И. К. Блохин, В. А. Холоднов, “Особенности сигнального и шумового токов продольных примесных
фотопроводников в режиме ограничения фоном”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1925–1929 |
| 12. |
И. К. Блохин, В. А. Холоднов, “Спектральные характеристики примесных фоторезисторов в режиме
ограничения фоном”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 294–299 |
|
1985 |
| 13. |
В. В. Осипов, В. А. Холоднов, “Аномалии туннельного тока при лавинном пробое Р-П гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 11:6 (1985), 362–367 |
|
1983 |
| 14. |
И. К. Блохин, В. А. Холоднов, “Импеданс длинного диода при двойной инжекции носителей и слабом
нарушении квазинейтральности”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1761–1765 |
| 15. |
Н. X. Арцис, В. А. Холоднов, “О некоторых свойствах обратно смещенных фотодиодов с большим
отношением коэффициентов ударной ионизации носителей”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 510–513 |
|
|
|
2019 |
| 16. |
A. A. Bolshakov, V. A. Kholodnov, V. P. Meshalkin, A. A. Musaev, I. V. Novozhilova, A. N. Polosin, L. A. Rusinov, “Tamara Balabekovna Chistyakova (to anniversary since birth)”, Вестн. ЮУрГУ. Сер. Матем. моделирование и программирование, 12:4 (2019), 142–145 |
|
Обратная связь: