|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
И. В. Кравецкий, Л. Л. Кулюк, Э. Е. Струмбан, В. М. Таланов, В. Е. Тэзлэван, Д. А. Шутов, “Изоструктурный фазовый переход в полупроводниковой шпинели CdIn$_{2}$S$_{4}$”, Физика твердого тела, 34:9 (1992), 2927–2930   |
| 2. |
О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. М. Попов, Э. Е. Струмбан, В. Э. Тэзлэван, Ж. Бове, Е. Фортен, “Люминесценция ионов хрома в монокристаллах полупроводниковой шпинели CdIn$_{2}$S$_{4}$ : Cr”, Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1907–1915 |
|
1989 |
| 3. |
О. А. Акципетров, И. В. Кравецкий, Л. Л. Кулюк, Э. Е. Струмбан, Д. А. Шутов, “Генерация второй гармоники при отражении от границы раздела
SiO$_{2}$/Si: роль кристаллического переходного слоя”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 37–41 |
|
1987 |
| 4. |
О. А. Акципетров, И. М. Баранова, Д. А. Есиков, Л. Л. Кулюк, Е. Д. Мишина, Э. Е. Струмбан, В. И. Цыцану, С. А. Рацеев, “Нелинейно-оптический отклик поверхности в центросимметричных полупроводниках”, Докл. АН СССР, 294:3 (1987), 579–583 |
1
|
| 5. |
О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, А. В. Симинел, Э. Е. Струмбан, В. Д. Фролов, “Фотоэлектрические и излучательные свойства эпитаксиальных слоев InP,
облученных протонами”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2084–2086 |
|
1986 |
| 6. |
О. А. Акципетров, Л. Л. Кулюк, А. В. Петухов, Э. Е. Струмбан, В. И. Цыцану, “Нелинейно-оптический метод исследования и контроля микронеоднородности поверхности металлов и полупроводников”, Письма в ЖТФ, 12:22 (1986), 1345–1349 |
|
1984 |
| 7. |
И. И. Жеру, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, Э. Е. Струмбан, В. Е. Тэзлэван, В. И. Цыцану, “Рекомбинационное излучение в монокристаллах CdIn$_{2}$S$_{4}$ : Cr”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1707–1709 |
| 8. |
Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, Э. Е. Струмбан, В. Э. Тэзлэван, В. И. Цыцану, “Кинетика люминесценции монокристаллов CdIn$_{2}$S$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 534–536 |
| 9. |
Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, Е. В. Руссу, В. Г. Смирнов, Э. Е. Струмбан, “Лазерная генерация в слоях In$_{0.53}$Gd$_{0.47}$As/InP
(${\lambda=1.53}$ мкм)
при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 10:18 (1984), 1099–1102 |
|
Обратная связь: