|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
| 1. |
В. И. Борисов, В. Ф. Дворянкин, В. А. Коробкин, А. А. Кудряшов, В. В. Лопатин, В. В. Любченко, А. А. Телегин, “Свойства эпитаксиальных пленок фосфида индия, легированного эрбием,
в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 910–913  |
|
1983 |
| 2. |
А. А. Каминский, А. А. Павлюк, А. И. Поляков, В. В. Любченко, “Новый канал генерации самоактивированного эрбиевого кристалла $\mathrm{KEr}(\mathrm{WO}_4)_2$”, Докл. АН СССР, 268:4 (1983), 856–858 |
|
1981 |
| 3. |
А. А. Каминский, А. Г. Петросян, В. А. Федоров, С. Э. Саркисов, В. В. Рябченков, А. А. Павлюк, В. В. Любченко, И. В. Мочалов, “Двухмикронное стимулированное излучение кристаллов с ионами $\mathrm{Ho}^{3+}$ на основном переходе
$^5I_7\to^5I_8$”, Докл. АН СССР, 260:1 (1981), 64–67 |
|
1979 |
| 4. |
А. А. Каминский, А. А. Павлюк, Чан Нгок, Л. И. Бобович, В. А. Федоров, В. В. Любченко, “Трехмикронное стимулированное излучение ионов $\mathrm{Ho}^{3+}$ в кристаллах $\mathrm{KY}(\mathrm{WO}_4)_2$
при $300$ K”, Докл. АН СССР, 245:3 (1979), 575–576 |
|
Обратная связь: