|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Д. И. Смагин, К. И. Старостин, Р. С. Савельев, Т. А. Кобринец, А. А. Сатин, А. В. Суворов, Н. И. Молодушная, А. В. Цыплаков, П. И. Медведев, “Моделирование системы кондиционирования воздуха перспективного пассажирского самолета в программном комплексе SiminTech”, Comp. nanotechnol., 2018, № 3, 24–31  |
|
1988 |
| 2. |
К. К. Бурдель, П. В. Варанкин, В. Н. Макаров, А. В. Суворов, Н. Г. Чеченин, “Структурные и композиционные перестройки в карбиде кремния, вызванные ионной имплантацией галлия и высокотемпературным отжигом”, Физика твердого тела, 30:2 (1988), 629–632  |
|
1987 |
| 3. |
П. А. Иванов, В. Ю. Качоровский, Я. В. Морозенко, А. В. Суворов, “Температурная зависимость емкости карбид-кремниевых
$p{-}n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1257–1260 |
|
1986 |
| 4. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Емкостная спектроскопия $p{-}n$-переходов на основе эпитаксиального
$4H$-SiC, полученного ионной имплантацией Al”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2169–2172 |
| 5. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе
эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1654–1657 |
| 6. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Исследование вольтамперных характеристик диодных структур
на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 844–848 |
|
1985 |
| 7. |
П. А. Иванов, Я. В. Морозенко, А. В. Суворов, “Исследование глубоких центров в $p{-}n$-переходах, полученных ионным
легированием $6H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1430–1433 |
| 8. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 114–117 |
|
1983 |
| 9. |
И. А. Аброян, Б. З. Алиев, С. Д. Имамкулиев, С. А. Казьмин, В. И. Кайданов, Г. Д. Касаманли, А. В. Суворов, “Имплантация ионов галлия в пленки PbSe”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 611–613 |
|
Обратная связь: