|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1984 |
| 1. |
Е. А. Боброва, В. С. Вавилов, Ю. Д. Вулис, Г. Н. Галкин, В. В. Поспелов, “Образование и температурная стабильность дефектов в приповерхностном слое Si структур Si$-$SiO$_{2}$, имплантированных ионами Ti”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 696–699  |
|
1977 |
| 2. |
М. С. Епифанов, Г. Н. Галкин, “Время излучательной релаксации неравновесных носителей в арсениде галлия”, Докл. АН СССР, 237:3 (1977), 552–554 |
|
1957 |
| 3. |
В. С. Вавилов, В. М. Маловецкая, Г. Н. Галкин, А. П. Ландсман, “Кремниевые солнечные батареи как источники электрического питания искусственных спутников Земли”, УФН, 63:1 (1957), 123–129 |
4
|
|
Обратная связь: