|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз, О. А. Пономарева, В. В. Сергеева, И. Н. Цыпленков, “Диагностика эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на кремниевых
подложках, методами фотолюминесценции и емкостной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1574–1578  |
| 2. |
В. В. Козловский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, “Эффективность введения электронных ловушек в арсениде галлия
при высокотемпературном облучении электронами”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1169–1174 |
| 3. |
В. В. Козловский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, “Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 545–550 |
| 4. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “Влияние температуры облучения и электрического поля на образование
и стабильность вакансионных дефектов в $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 448–452 |
| 5. |
В. В. Козловский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз, “Дефектообразование в $n$-InP при повышенных температурах облучения”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 267–270 |
| 6. |
В. Ф. Андриевский, В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако, “Особенности емкостной спектроскопии глубоких центров в диодах Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 222–226 |
| 7. |
И. А. Баранов, П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, С. О. Целелевич, Л. Н. Шахлевич, “Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой
${\sim100}$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ.
II. Изменение рекомбинационных свойств”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 73–76 |
| 8. |
А. В. Латышев, Г. А. Лисовский, В. М. Ломако, “Модификация метода накачки заряда для контроля пространственного
распределения радиационно-индуцированных поверхностных состояний
в МОП транзисторах”, Письма в ЖТФ, 17:19 (1991), 78–82  |
|
1990 |
| 9. |
В. А. Быковский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs : In, полученных
хлоридным методом”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2117–2120 |
| 10. |
В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако, В. В. Счастный, А. Д. Тарасевич, “Отжиг радиационных дефектов EM1 и E10 в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 2051–2053 |
| 11. |
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз, “Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в $n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 1963–1968 |
| 12. |
В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако, “Структура пиков $E4$ и $E5$ в $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1427–1430 |
| 13. |
В. В. Козловский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз, “Влияние интенсивности облучения и энергии частиц
на эффективность образования глубоких центров в $n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1123–1126 |
| 14. |
И. А. Баранов, П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, С. О. Цепелевич, Л. Н. Шахлевич, “Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой $\sim
100$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 731–735 |
| 15. |
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, “Модификация центра $E3$ в облученном $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 295–299 |
| 16. |
В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако, “Низкотемпературное облучение арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 185–187 |
| 17. |
В. А. Быковский, Л. А. Иванютин, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, И. Н. Цыпленков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании
арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических
соединений”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 77–81 |
|
1989 |
| 18. |
В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако, “Структура пика E3 в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1635–1639 |
| 19. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных
дефектов в $p$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1625–1628 |
| 20. |
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, А. В. Родионов, Ю. Н. Свешников, “Особенности дефектообразования в эпитаксиальном арсениде галлия,
содержащем изовалентную примесь индия”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 626–629 |
| 21. |
В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако, “Конфигурационные перестройки бистабильных центров в ковалентных
полупроводниках — фазовые переходы второго рода”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 264–267 |
| 22. |
В. А. Быковский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз, “Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на германиевых
подложках”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 166–168 |
| 23. |
В. М. Ломако, П. Я. Старостин, “Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области
скопления дефектов”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 90–95 |
|
1988 |
| 24. |
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз, “Влияние легирования серой на образование глубоких центров в $n$-InP
при облучении”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1311–1313 |
| 25. |
Н. В. Кучинский, В. М. Ломако, Л. Н. Шахлевич, “О природе дефектов с уровнем ${E_{c}-0.18}$ эВ в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1213–1218 |
| 26. |
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз, “О дефектах, возникающих в $n$-InP при низкотемпературном облучении”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 740–741 |
| 27. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, И. З. Рутковский, В. В. Счастный, А. Д. Тарасевич, Л. Н. Шахлевич, “О влиянии германия на образование электрически активных дефектов
в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 634–637 |
|
1987 |
| 28. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, Л. Н. Шахлевич, “Емкостная спектроскопия радиационных ловушек неосновных носителей
в $n$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1471–1473 |
| 29. |
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз, “Образование электронных ловушек в $n$-InP при облучении
$\gamma$-квантами”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1075–1078 |
| 30. |
Н. Г. Колин, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, “Спектроскопия радиационных дефектов в ядерно-легированном арсениде
галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 327–330 |
|
1986 |
| 31. |
В. И. Губская, П. В. Кучинский, В. М. Ломако, “Образование и термическая стабильность радиационных дефектов
в $p$-кремнии, облученном альфа-частицами”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1055–1059 |
| 32. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “Инжекционный отжиг радиационных дефектов в $p$-кремнии, вводимых
в электрическом поле при ${78\div330}$ K”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 740–742 |
| 33. |
В. И. Карась, В. М. Ломако, “Кинетика рекомбинационно-ускоренного отжига дефектов
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 287–293 |
| 34. |
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, В. В. Урбан, “Об определении параметров глубоких центров из сложных спектров
нестационарной емкости”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 237–242 |
|
1985 |
| 35. |
В. И. Губская, П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “О возможности идентификации дефектов в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 532–534 |
| 36. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “Влияние сильного электрического поля на скорость введения и пространственное распределение радиационных дефектов в кремнии”, Письма в ЖТФ, 11:5 (1985), 309–311 |
|
1984 |
| 37. |
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, “О распределении дефектов при облучении кремния неколлимированным
пучком альфа-частиц”, ЖТФ, 54:10 (1984), 2066–2068 |
| 38. |
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, “Изучение глубоких центров в нейтронно-легированном арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2088–2090 |
| 39. |
Г. А. Ашкинази, Л. Я. Золотаревский, В. А. Иванюкович, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, А. Л. Падьюс, “Глубокие центры в $p^{+}{-}p{-}n{-}n^{+}$-структурах высоковольтных
диодов на основе арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 1995–1998 |
| 40. |
А. П. Вяткин, К. И. Иноземцев, Ю. М. Калинин, Н. П. Криворотов, В. М. Ломако, А. М. Новоселов, “Исследование глубоких уровней гомо- и гетеропереходов на арсениде
галлия методом туннельной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 76–78 |
|
1976 |
| 41. |
Н. Н. Сирота, И. Д. Ломако, В. М. Ломако, “Вращение плоскости поляризации в некоторых ортоферритах самарий-тербиевой системы”, Докл. АН СССР, 229:5 (1976), 1105–1108 |
|
|
| 42. |
Н. Н. Сирота, И. Д. Ломако, В. М. Ломако, “Поправки к статье “Вращение плоскости поляризации в некоторых ортоферритах самарий-тербиевой системы”
(ДАН, т. 229, № 5, 1976 г.)”, Докл. АН СССР, 231:6 (1976), 1280 |
|
Обратная связь: