|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1987 |
| 1. |
И. С. Ташлыков, Т. В. Поздеева, З. Кальбитцер, “О роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами
Al$^{+}$ и P$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 728–729  |
|
1986 |
| 2. |
И. С. Ташлыков, Г. Картер, М. Нобс, “Повреждение GaAs при имплантации Al$^{+}$ и P$^{+}$ с различной
плотностью ионного тока”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 785–788 |
|
1974 |
| 3. |
В. В. Белошицкий, Г. А. Гуманский, М. А. Кумахов, И. С. Ташлыков, “Интерпретации экспериментов по определению числа радиационных дефектов методом обратного рассеяния каналированных ионов”, Докл. АН СССР, 217:6 (1974), 1277–1280 |
|
Обратная связь: