|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Влияние предварительной термообработки на эффективность образования
радиационных дефектов в бездислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1509–1511  |
| 2. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, “Особенности отжига компенсирующих радиационных дефектов
в бездислокационном $n$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1142–1145 |
| 3. |
И. И. Колковский, В. Ф. Латышенко, П. Ф. Лугаков, В. В. Шуша, “Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными
типами ростовых микродефектов”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 176–180 |
|
1991 |
| 4. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, “Эффективность образования вакансионных и междоузельных комплексов
при облучении бездислокационного $n$-кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 110–113 |
|
1990 |
| 5. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1721–1725 |
| 6. |
Л. А. Казакевич, В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, А. В. Цикунов, “Влияние деформационных напряжений границы раздела
Si$-$SiO$_{2}$ на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 517–520 |
|
1989 |
| 7. |
В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, А. Р. Салманов, А. В. Цикунов, “Накопление и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов
в $p$-Si$\langle\text{Ge}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1492–1495 |
| 8. |
И. И. Колковский, П. Ф. Лугаков, В. В. Шуша, “Особенности образования рекомбинационных центров
при облучении бездислокационного $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 885–887 |
| 9. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, “Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 748–751 |
| 10. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, “Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах
в $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 722–725 |
|
1988 |
| 11. |
Н. И. Блецкан, В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, А. Р. Салманов, А. В. Цикунов, “Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном
германием”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2223–2226 |
| 12. |
П. Ф. Лугаков, Т. А. Лукашевич, “Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов
при электронном и $\gamma$-облучении кремния”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 2071–2073 |
| 13. |
Л. А. Казакевич, В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, “Формирование областей скопления радиационных дефектов
в дислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 499–502 |
|
1987 |
| 14. |
П. Ф. Лугаков, Т. А. Лукашевич, “Смещение уровня Ферми и конверсия типа проводимости
при облучении $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 746–748 |
|
1986 |
| 15. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, В. В. Шуша, “Особенности накопления радиационных дефектов в высокоомном
$p$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1894–1897 |
| 16. |
И. И. Колковский, П. Ф. Лугаков, В. В. Шуша, “Рекомбинационные свойства радиационных дефектов в трансмутационно
легированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 964–967 |
| 17. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, В. В. Шуша, “Рекомбинационная активность дислокаций в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 767–770 |
| 18. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Процессы комплексообразования в кремнии при изменении температуры
облучения”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 742–744 |
| 19. |
Л. А. Казакевич, В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, “Энергия активации термической ионизации радиационных дефектов
в дислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 345–347 |
|
1985 |
| 20. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, Ю. М. Покотило, “Природа и параметры примесно-дефектных скоплений
в нейтронно-легированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2014–2017 |
|
1984 |
| 21. |
В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, А. В. Цикунов, “Особенности образования и отжига радиационных дефектов в Si из-за
взаимодействия их с поверхностью”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1007–1010 |
| 22. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, “Радиационное изменение времени жизни носителей заряда
в дислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 543–545 |
| 23. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Влияние интенсивности облучения на скорость аннигиляции вакансий
и междоузлий в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 345–347 |
|
1983 |
| 24. |
В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, “Влияние условий облучения и примесного состава кремния
на параметры областей скопления дефектов”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1902–1904 |
| 25. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Природа дефектов и особенности их образования при облучении
нейтронно-легированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1601–1603 |
| 26. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, “Взаимодействие точечных и групповых радиационных дефектов
в дислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1517–1519 |
| 27. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, “Взаимодействие дефектов вакансионного и междоузельного типов при
отжиге облученного $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 166–168 |
|
1966 |
| 28. |
А. Н. Севченко, В. Д. Ткачев, П. Ф. Лугаков, “Энергетический спектр радиационных нарушений в монокристаллах кремния”, Докл. АН СССР, 169:3 (1966), 562–564 |
|
Обратная связь: