|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1994 |
| 1. |
Д. И. Вайсбурд, П. А. Пальянов, Б. Н. Сёмин, О. М. Шумский, “Одновременное наблюдение внутризонной электронной и межзонной дырочной
радиолюминесценции на кристаллах $\mathrm{CsI}$”, Докл. РАН, 336:1 (1994), 39–42  |
|
1993 |
| 2. |
Д. И. Вайсбурд, П. А. Пальянов, Б. Н. Семин, “Прямое экспериментальное доказательство явления внутризонной
радиолюминесценции диэлектриков”, Докл. РАН, 333:4 (1993), 452–456 |
|
1992 |
| 3. |
Д. И. Вайсбурд, С. В. Георгиев, “Неравновесное кипение металла под действием килоджоульного импульса облучения плотным электронным пучком”, Докл. РАН, 323:4 (1992), 667–672 |
|
1989 |
| 4. |
Д. И. Вайсбурд, В. П. Каратеев, С. Б. Матлис, Г. А. Месяц, “Масштабный эффект при хрупком разрушении ионного кристалла мощным
импульсом электронного облучения”, Письма в ЖТФ, 15:13 (1989), 69–72  |
|
1988 |
| 5. |
А. Г. Вайсбурд, Д. И. Вайсбурд, М. Л. Дудник, О. М. Шумский, “Точное решение задачи о необратимой коагуляции элементарных точечных дефектов в твердых телах”, Докл. АН СССР, 301:2 (1988), 328–331 |
|
1987 |
| 6. |
B. B. Бутков, Д. И. Вайсбурд, “Температурная зависимость подвижности высокоэнергетических электронов зоны проводимости в ионных кристаллах”, Докл. АН СССР, 293:3 (1987), 598–602 |
| 7. |
B. B. Бутков, Д. И. Вайсбурд, Э. Г. Таванов, “Проводимость высокоэнергетических зонных электронов в диэлектрических
кристаллах”, ЖТФ, 57:7 (1987), 1443–1445 |
|
1986 |
| 8. |
З. Г. Бикбаева, Д. И. Вайсбурд, Л. В. Григорук, “Особенности накопления $F$-центров в гидрированных кристаллах KCl$-$KH при протонном облучении”, Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2230–2232 |
| 9. |
Д. И. Вайсбурд, С. Б. Матлис, В. П. Суржиков, Е. М. Окс, П. М. Щанин, “Зависимость среднего порога хрупкого разрушения кристаллов KCl
электронным пучком от длительности импульса облучения”, ЖТФ, 56:10 (1986), 2049–2050 |
|
1985 |
| 10. |
Д. И. Вайсбурд, “Квантование функции распределения высокоэнергетических зонных электронов и дырок диэлектрического кристалла в компенсирующем электрическом поле”, Докл. АН СССР, 280:6 (1985), 1346–1350 |
|
1984 |
| 11. |
И. Н. Балычев, Д. И. Вайсбурд, В. А. Трофимов, “Прочность ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками
электронов в сверхсильных электрических полях”, ЖТФ, 54:9 (1984), 1804–1805 |
| 12. |
Д. И. Вайсбурд, А. В. Иванов, В. Ф. Ландель, С. Б. Матлис, В. П. Суржиков, Ю. Ф. Томащук, “Хрупкое раскалывание стекол под действием периодического импульсного
облучения плотными потоками электронов”, ЖТФ, 54:2 (1984), 375–376 |
|
1982 |
| 13. |
Д. И. Вайсбурд, Г. А. Месяц, В. Л. Наминов, Э. Г. Таванов, “Проводимость ионных диэлектриков при импульсном облучении электронными и рентгеновскими пучками средней плотности”, Докл. АН СССР, 265:5 (1982), 1113–1116 |
|
1980 |
| 14. |
Д. И. Вайсбурд, Б. Н. Сёмин, “Фундаментальная люминесценция ионных кристаллов при наносекундном облучении плотными электронными пучками”, Докл. АН СССР, 254:5 (1980), 1112–1116 |
|
1979 |
| 15. |
Д. И. Вайсбурд, С. Б. Матлис, “Фермионные свойства дефектов в твердых телах”, Докл. АН СССР, 247:1 (1979), 76–80 |
|
1977 |
| 16. |
И. Я. Мелик-Гайказян, Д. И. Вайсбурд, Т. В. Лавряшина, “Приповерхностный слой, обогащенный вакансиями, в нитевидных кристаллах $\mathrm{NaCl}$”, Докл. АН СССР, 235:6 (1977), 1289–1292 |
|
1965 |
| 17. |
Д. И. Вайсбурд, И. Я. Мелик-Гайказян, “Уравнение радиационного накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах”, Докл. АН СССР, 165:5 (1965), 1029–1032 |
|
Обратная связь: