Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Шмарцев Юрий Васильевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 81
Научных статей: 81

Статистика просмотров:
Эта страница:209
Страницы публикаций:3599
Полные тексты:2081
профессор
доктор физико-математических наук (1971)

Научная биография:

Шмарцев, Юрий Васильевич. Некоторые особенности гальваномагнитных явлений в сильно легированных полупроводниках при низких температурах : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.00.00. - Ленинград, 1964. - 264 с. : ил.

Шмарцев, Юрий Васильевич. Локальное состояние электронов в полупроводниках : дис. ... докт. физ.-матем. наук : 01.00.00. - Ленинград, 1971. - 403 с. : ил.
   
Основные публикации:
  • Транзисторы / Я. А. Федотов, Ю. В. Шмарцев. - Москва : Сов. радио, 1960. - 430 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person134742
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1992
1. Н. Б. Пышная, С. И. Радауцан, В. В. Чалдышев, В. А. Чумак, Ю. В. Шмарцев, “Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1737–1741  mathnet
2. В. Г. Голубев, В. В. Емцев, П. М. Клингер, Г. И. Кропотов, Ю. В. Шмарцев, “Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  574–577  mathnet
1991
3. Ю. Г. Зарецкий, Ю. И. Уханов, Ю. В. Шмарцев, “Нормальные колебания отдельных групп атомов в кристаллической решетке силленитов. II. Группа Me(O$_{3}$Bi$_{3}$)$_{4}$”, Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1210–1214  mathnet
4. Ю. Г. Зарецкий, Ю. И. Уханов, Ю. В. Шмарцев, “Нормальные колебания отдельных групп атомов в кристаллической решетке силленитов. I. Группы O$_{(1)}$Bi$_{3}$ и O$_{(2)}$Bi$_{3}$”, Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1202–1209  mathnet
5. Л. В. Голубев, А. В. Егоров, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Р. Г. Шаповалов, Ю. В. Шмарцев, “ЭЖЭ — рост объемных кристаллов и одновременное получение слоев на нескольких подложках”, ЖТФ, 61:3 (1991),  74–79  mathnet  isi
6. В. В. Воробьева, О. В. Зушинская, В. Б. Лебедев, ЛеТуан, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1758–1764  mathnet
7. В. Н. Денисов, Б. Н. Маврин, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1472–1475  mathnet
8. В. С. Абрамов, И. П. Акимченко, В. А. Дравин, Н. Н. Дымова, В. В. Краснопевцев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1355–1360  mathnet
9. В. В. Емцев, П. М. Клингер, В. И. Фистуль, Ю. В. Шмарцев, “Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  997–1003  mathnet
10. Е. В. Астрова, И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, О. М. Ивлева, Л. Г. Лаврентьева, А. А. Лебедев, И. В. Тетеркина, В. В. Чалдышев, Н. А. Чернов, Ю. В. Шмарцев, “Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  898–903  mathnet
1990
11. Д. И. Лубышев, В. П. Мигаль, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, С. И. Стенин, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1862–1866  mathnet
12. И. П. Акимченко, Н. Н. Дымова, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1857–1861  mathnet
13. В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова, “Подавление «природных» акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1095–1100  mathnet
14. В. А. Быковский, Л. А. Иванютин, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, И. Н. Цыпленков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  77–81  mathnet
1989
15. Д. И. Лубышев, В. П. Мигель, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Влияние отношения потоков мышьяка и галлия на люминесценцию арсенида галлия, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1913–1916  mathnet
16. В. И. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Ширина запрещенной зоны в твердом растворе GaSb$_{1-x}$Bi$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1517–1518  mathnet
17. Н. А. Анастасьева, Ю. Н. Большева, В. Б. Освенский, И. В. Степанцова, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Влияние легирования индием на люминесценцию монокристаллов арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1259–1262  mathnet
18. Ю. Ф. Бирюлин, Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, В. А. Писаревская, Е. В. Соловьева, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Об одной особенности донора — серы в GaP”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1070–1075  mathnet
19. Т. А. Полянская, Ю. В. Шмарцев, “Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  3–32  mathnet
1988
20. А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “О реализации одномерных и квазиодномерных электронных каналов на вицинальных и профилированных поверхностях полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1091–1095  mathnet
21. А. М. Крещук, М. Ю. Мартисов, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  604–608  mathnet
22. В. М. Амусья, Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  342–344  mathnet
23. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, Кумар Ракеш, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Концентрация и подвижность электронов в InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных редкоземельными элементами”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  35–43  mathnet
24. А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев, Ю. В. Шмарцев, “Особенности поверхности арсенида галлия, выращенного из висмутового раствора$-$расплава”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1794–1799  mathnet  isi
25. Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, С. Г. Конников, Я. И. Отман, В. В. Третьяков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, В. А. Шульбах, Л. Е. Эпиктетова, “Твердые растворы в системе Ga$-$Sb$-$Bi”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1651–1655  mathnet  isi
1987
26. Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич, “Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2201–2209  mathnet
27. И. Г. Савельев, Т. А. Полянская, Ю. В. Шмарцев, “Квантовые поправки к проводимости и разогрев двумерного электронного газа на гетерогранице AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2096–2099  mathnet
28. А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, К. К. Репшас, Ю. В. Шмарцев, “Магниторезистивная ЭДС квазидвумерного электронного газа в гетероструктурах In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1479–1481  mathnet
29. Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова, “Влияние изовалентного легирования индием на « природные» акцепторы в антимониде галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1118–1124  mathnet
30. Ю. Ф. Бирюлин, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких акцепторов в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  949–952  mathnet
31. А. Я. Вуль, С. П. Вуль, П. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев, “Дрейфовые барьеры в эпитаксиальных слоях нелегированных твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  662–665  mathnet
32. Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1264–1267  mathnet  isi
33. Ю. Ф. Бирюлин, Г. С. Вильдгрубе, В. Н. Каряев, А. И. Климин, Т. Н. Пальтс, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотокатоды с отрицательным электронным сродством на основе твердых растворов $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}$ и их применение в фотоумножителях”, Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  833–835  mathnet  isi
34. Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Т. В. Чернева, Ю. В. Шмарцев, “Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  188–191  mathnet  isi
1986
35. В. М. Арутюнян, К. Г. Бегоян, Ю. Г. Зарецкий, А. Г. Саркисян, Л. А. Тимохина, Л. В. Шаронова, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Оптические свойства двухфазной системы металл–диэлектрик Cu$-$ZnO”, Физика твердого тела, 28:9 (1986),  2707–2710  mathnet  isi
36. Ю. В. Шмарцев, “К столетию открытия германия”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2137–2139  mathnet
37. А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, Ю. В. Шмарцев, “Задержка и подавление токового шнура магнитным полем в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$Аs/InР-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1488–1491  mathnet
38. Р. Х. Акчурин, Ю. Ф. Бирюлин, С. А. Исламов, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция InP, легированного висмутом”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1258–1261  mathnet
39. С. П. Вуль, А. Я. Вуль, П. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев, “Прямое наблюдение высокоомных областей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$”, Письма в ЖТФ, 12:15 (1986),  912–916  mathnet  isi
40. Ю. Ф. Бирюлин, А. Я. Вуль, В. Н. Каряев, С. В. Кидалов, Ю. В. Шмарцев, “Р-П структуры на основе твердых растворов $Al\,As-Ga$, $As-Ga\,Sb$ с управляемой полосой спектральной чувствительности”, Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  764–767  mathnet  isi
41. Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об "очистке" арсенида галлия висмутом”, Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  274–276  mathnet  isi
42. А. Я. Вуль, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами”, Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  257–261  mathnet  isi
43. Л. В. Шаронова, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Отражение света двухфазными смесями металл–диэлектрик”, Письма в ЖТФ, 12:2 (1986),  103–106  mathnet  isi
1985
44. Ж. И. Алферов, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, Р. Вашкявичюс, “Исследование СВЧ поглощения в гетероструктурах InGaAs/InP в режиме электрической неустойчивости”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2004–2007  mathnet
45. Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, В. М. Устинов, Ю. В. Шмарцев, “Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203  mathnet
46. Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об изменении степени компенсации мелких примесей при изовалентном легировании арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1104–1107  mathnet
47. М. Г. Блюмина, А. Т. Денисов, А. М. Крещук, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, А. П. Сеничкин, Ю. В. Шмарцев, “Двумерный электронный газ в модулированно-легированных структурах GaAs/GaAlAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  164–167  mathnet
48. А. Я. Вуль, С. П. Вуль, С. В. Кидалов, Ю. В. Шмарцев, “Высокоселективный фоторезистор на основе твердых растворов в системе $Ga\,As-Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  717–720  mathnet  isi
49. Л. И. Антонова, Ю. Ф. Бирюлин, А. Я. Вуль, В. П. Денисов, Л. Г. Забелина, Р. Р. Ичкитидзе, А. И. Климин, С. Е. Козлов, Ю. В. Шмарцев, “Арсенид-галлиевый фотокатод с интегральной чувствительностью $3200$ мкА/лм”, Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  602–605  mathnet  isi
50. Л. В. Голубев, О. В. Зеленова, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Равновесная электрожидкостная эпитаксия $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}/Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  230–233  mathnet  isi
51. В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия четырехкомпонентного твердого раствора $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  224–226  mathnet  isi
52. А. Я. Вуль, С. П. Вуль, С. В. Кидалов, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Высокоэффективный быстродействующий фоторезистор большой площади на диапазон длин волн $0.9$–$1.1$ мкм”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  7–11  mathnet  isi
1984
53. Ю. Г. Зарецкий, М. В. Красинькова, Г. А. Курбатов, Ю. И. Уханов, Ю. В. Шмарцев, “Спектр инфракрасного отражения Bi$_{12}$TiO$_{20}$”, Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2233–2235  mathnet  isi
54. Л. В. Голубев, О. В. Зеленова, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия твердых растворов InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, ЖТФ, 54:11 (1984),  2233–2237  mathnet  isi
55. К. М. Гамбарян, В. А. Геворкян, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Анализ распределения примеси при равновесной электрожидкостной эпитаксии”, ЖТФ, 54:10 (1984),  2011–2015  mathnet  isi
56. Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной эпитаксии”, ЖТФ, 54:7 (1984),  1394–1399  mathnet  isi
57. Ж. И. Алфров, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Спин-орбитальное рассеяние и слабая локализация электронов в гетероструктурах InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  1999–2005  mathnet
58. Т. Л. Макарова, Л. В. Шаронова, Ю. В. Шмарцев, “Электрические свойства неидеальных гетеропереходов $n$-GaP/$p$-Si и $n$-GaAs/$p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1588–1592  mathnet
59. Ю. Ф. Бирюлин, Р. Р. Ичкитидзе, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О зависимости квантового выхода фотолюминесценции в твердом растворе GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ от состава и температуры”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1251–1255  mathnet
60. Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, А. В. Приходько, В. В. Рождественский, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1237–1241  mathnet
61. Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных жидкофазной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1230–1232  mathnet
62. З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, В. М. Арутюнян, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Шумы в симметричных планарных структурах из кремния, компенсированного цинком”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1173–1177  mathnet
63. Н. П. Герасимов, С. В. Козырев, В. Н. Овсюк, С. В. Потапов, Н. С. Славинская, П. А. Черемных, Ю. В. Шмарцев, “О квантовом эффекте Холла в кремниевых МДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  365–367  mathnet
64. Т. А. Полянская, Л. П. Круковская, Ю. В. Шмарцев, “О температурной зависимости времени релаксации фазы волновой функции в германии, легированном сурьмой”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  156–159  mathnet
1983
65. А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Электронные явления в неидеальных гетеропереходах”, Докл. АН СССР, 270:3 (1983),  593–596  mathnet
66. В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, Г. А. Курбатов, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, К. К. Сидорин, Ю. В. Шмарцев, “Исследование оптического поглощения легированного рутила”, Физика твердого тела, 25:3 (1983),  942–944  mathnet  isi
67. Ю. Г. Зарецкий, Г. А. Курбатов, В. В. Прокофьев, Ю. И. Уханов, Ю. В. Шмарцев, “Комбинационное рассеяние света в Bi$_{12}$TiO$_{20}$”, Физика твердого тела, 25:2 (1983),  596–598  mathnet  isi
68. С. Г. Асатрян, А. С. Киндурис, Г. З. Кривайте, Г. А. Курбатов, А. Ю. Шилейка, Ю. В. Шмарцев, “Оптические свойства тонких слоев Ta$_{2}$O$_{5}$ на кремнии”, ЖТФ, 53:12 (1983),  2362–2366  mathnet  isi
69. В. А. Геворкян, Л. В. Голубев, А. Е. Хачатрян, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу о кинетике роста в равновесной электрожидкостной эпитаксии”, ЖТФ, 53:3 (1983),  545–549  mathnet  isi
70. С. В. Козырев, Р. В. Парфеньев, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Время релаксации фазы волновой функции в двумерном электронном газе Si-МДП структур”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2230–2232  mathnet
71. О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Ю. В. Шмарцев, “Модуляционные методики определения параметров связанных состояний в квантовом эффекте Холла”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1217–1224  mathnet
72. Т. А. Полянская, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Зависимость отрицательного магнитосопротивления от концентрации примеси в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1081–1086  mathnet
73. А. Я. Вуль, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  134–138  mathnet
74. Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, М. Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  108–114  mathnet
75. Ю. Ф. Бирюлин, С. П. Вуль, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$) и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  103–107  mathnet
76. Л. В. Голубев, С. Г. Коронный, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия InAs”, Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  961–964  mathnet
77. Л. В. Голубев, С. В. Новиков, С. Н. Савельева, Ю. В. Шмарцев, “Определение некоторых параметров раствора–расплава в электрожидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  662–666  mathnet
78. Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О корреляции в расположении мелких примесей в арсениде галлия, легированном индием и сурьмой”, Письма в ЖТФ, 9:4 (1983),  242–245  mathnet
79. Ю. Ф. Бирюлин, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)”, Письма в ЖТФ, 9:3 (1983),  155–158  mathnet
1966
80. А. С. Борщевский, Н. А. Горюнова, Г. А. Сихарулидзе, В. М. Тучкевич, Ю. В. Шмарцев, “Получение и некоторые свойства полупроводникового соединения $\mathrm{CdSnAs}_2$”, Докл. АН СССР, 171:4 (1966),  830–832  mathnet
1965
81. М. Мирзабаев, В. М. Тучкевич, Ю. В. Шмарцев, “Отрицательное магнитосопротивление в кремнии $n$-типа”, Докл. АН СССР, 163:2 (1965),  338–339  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024