|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев, “Деградация параметров транзисторных датчиков температуры под действием ионизирующего облучения”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1404–1409   ; I. M. Vikulin, V. È. Gorbachev, Sh. D. Kurmashev, “Degradation of the parameters of transistor temperature sensors under the effect of ionizing radiation”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1354–1359 |
3
|
|
1990 |
| 2. |
Ш. Д. Курмашев, В. И. Ирха, И. М. Викулин, “Спектр фоточувствительности инжекционных фотодиодов с варизонной
базой в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 558–560 |
|
1986 |
| 3. |
И. И. Синина, Ш. Д. Курмашев, И. М. Викулин, “Инжекционное усиление фототока в неоднородно легированном
полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2233–2236 |
| 4. |
Ш. Д. Курмашев, И. И. Чалая, “Влияние электронного облучения на фоточувствительность
Ge$\langle$Hg, Sb$\rangle$-структур с инжекционным усилением”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1134–1136 |
| 5. |
Ш. Д. Курмашев, О. П. Демьянчук, И. И. Чалая, “Влияние электронного облучения на характеристики инжекционных
фотодиодов из $p$-InSb”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 927–929 |
|
1965 |
| 6. |
В. А. Дроздов, Ш. Д. Курмашев, А. Л. Рвачев, “Оптический метод формовки $p$ – $n$-перехода”, Докл. АН СССР, 162:3 (1965), 530–531 |
|
Обратная связь: