|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Л. А. Карачевцева, А. В. Любченко, “К вопросу о собственной концентрации носителей заряда в твердых
растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1342–1346  |
| 2. |
Л. А. Карачевцева, А. В. Любченко, Э. А. Маловичко, “Особенности магнитополевых зависимостей кинетических коэффициентов
в двухслойных структурах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 535–538 |
| 3. |
И. С. Бакши, Л. А. Карачевцева, А. В. Любченко, В. А. Петряков, Е. А. Сальков, Б. И. Хижняк, “Влияние компенсирующего отжига на шум $1/f$ в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 173–176 |
|
1991 |
| 4. |
Н. Н. Григорьев, В. К. Ергаков, Л. А. Карачевцева, К. Р. Курбанов, А. В. Любченко, Э. А. Маловичко, “Электронное время жизни в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с разной
плотностью малоугловых границ”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1649–1652 |
| 5. |
Н. Н. Григорьев, Л. А. Карачевцева, К. Р. Курбанов, А. В. Любченко, “Влияние ростовых дислокаций на время жизни электронов
в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 464–466 |
|
1990 |
| 6. |
Н. Н. Григорьев, Т. А. Кудыкина, А. В. Любченко, “Кинетика нарастания и спада концентрации носителей при импульсном
фотовозбуждении неоднородных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 190–192 |
| 7. |
А. В. Любченко, К. А. Мысливец, Я. М. Олих, “Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов
в кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутых ультразвуковой обработке”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 171–174 |
|
1989 |
| 8. |
И. С. Вирт, А. В. Любченко, П. Е. Мозоль, В. А. Гнатюк, “Особенности электрофизических и фотоэлектрических свойств
монокристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутых облучению”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1386–1389 |
| 9. |
А. З. Абасова, Ф. А. Заитов, А. В. Любченко, С. Султанмурадов, “Рекомбинационные процессы в радиационно облученных фоточувствительных
структурах на основе селенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 152–155 |
|
1988 |
| 10. |
И. С. Вирт, Н. Н. Григорьев, А. В. Любченко, “Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры
в фоточувствительных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 409–412 |
|
1986 |
| 11. |
Г. Гарягдыев, И. Я. Городецкий, А. В. Любченко, О. Нурягдыев, “Рекомбинационные процессы в полупроводниках Mg$_{x}$Cd$_{1-x}$Se
в условиях предельной перезарядки локальных центров”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 1989–1993 |
| 12. |
В. В. Дякин, В. В. Коваль, А. В. Любченко, Ю. Л. Лукинский, О. Ф. Манита, Е. А. Сальков, “Спектральное распределение фоточувствительности
в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в стационарном и импульсном режимах измерения”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 541–543 |
| 13. |
А. Байдуллаева, В. В. Дякин, В. В. Коваль, А. В. Любченко, П. Е. Мозоль, Е. А. Сальков, “Фотопроводимость монокристаллов CdTe в области края фундаментального
поглощения”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 398–402 |
|
1985 |
| 14. |
А. В. Любченко, Я. М. Олих, “Электрические эффекты, стимулированные колебательной деформацией, в полупроводниковых кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика твердого тела, 27:8 (1985), 2505–2506  |
|
1966 |
| 15. |
М. К. Шейнкман, А. В. Любченко, “Два параллельных механизма захвата носителей на один рекомбинационный центр”, Докл. АН СССР, 167:4 (1966), 795–798 |
|
1965 |
| 16. |
В. Е. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман, “Определение параметров рекомбинационных центров в сульфиде кадмия с помощью
кинетики инфракрасного гашения фототока”, Докл. АН СССР, 161:6 (1965), 1310–1312 |
|
Обратная связь: