|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Г. Г. Ковалевская, М. М. Мередов, Е. В. Руссу, X. М. Салихов, С. В. Слободчиков, В. М. Фетисова, “Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур
Pd${-}p{-}p^{+}$-InP и изменение их в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1750–1754  |
| 2. |
M. M. Мередов, Г. Г. Ковалевская, Е. В. Руссу, С. В. Слободчиков, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур, полученных
структурным переходом Au$-p$-InP$\to$Au$-n$-In$_{2}$O$_{3}{-}p$-InP”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1590–1595 |
|
1991 |
| 3. |
Г. Г. Ковалевская, М. М. Мередов, А. В. Пенцов, Е. В. Руссу, С. В. Слободчиков, В. М. Фетисова, “О механизмах влияния водорода на электрические и фотоэлектрические
свойства диодных структур Pd${-}p(n)$-InP и Pd${-}n$-GaP”, ЖТФ, 61:9 (1991), 173–176  |
| 4. |
А. И. Андрушко, А. В. Пенцов, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, “Произведение $R_{0}A$ в InAs $p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1686–1690 |
| 5. |
Г. Г. Ковалевская, М. М. Мередов, А. В. Пенцов, Е. В. Руссу, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, “Токи двойной инжекции и фототок в диодных
структурах Pd${-}p{-}p^{+}{-}$InP”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1466–1468 |
| 6. |
С. В. Слободчиков, Г. Г. Ковалевская, М. М. Мередов, А. В. Пенцов, Е. В. Руссу, Х. М. Салихов, “Фотодетектор на основе InGaAs
как детектор водорода”, Письма в ЖТФ, 17:15 (1991), 1–4 |
|
1989 |
| 7. |
Г. Г. Ковалевская, А. М. Маринова, С. В. Слободчиков, “Фотоэдс структур Pd${-}n$-InP
с промежуточным слоем в атмосфере водорода или водяных паров”, ЖТФ, 59:11 (1989), 155–158 |
| 8. |
Б. Е. Саморуков, С. В. Слободчиков, “Влияние облучения электронами на свойства фосфида индия,
легированного $3d$-элементами”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 921–924 |
| 9. |
Г. Г. Ковалевская, Л. Кратена, М. М. Мередов, A. M. Маринова, С. В. Слободчиков, “Фотодетектор Pd$-$промежуточный слой$-$JnP как детектор водорода”, Письма в ЖТФ, 15:12 (1989), 55–58 |
|
1988 |
| 10. |
А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, “Поверхностно-барьерные структуры
Au${-}p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1528–1529 |
| 11. |
А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “О механизмах рекомбинации носителей тока
в $p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 789–792 |
| 12. |
Г. Г. Ковалевская, С. В. Слободчиков, Л. Кратена, “Продольный фотоэффект на основе внутренней фотоэмиссии”, Письма в ЖТФ, 14:21 (1988), 1982–1985 |
|
1986 |
| 13. |
А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Об электрофизических и фотоэлектрических свойствах эпитаксиальных
диодных структур на основе InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2195–2198 |
| 14. |
Ю. Г. Малинин, С. В. Слободчиков, Г. М. Филаретова, “Спектральная фоточувствительность
Au${-}p$-InAs диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 903–905 |
| 15. |
А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, Г. Н. Талалакин, Г. М. Филаретова, “О временах носителей тока в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As,
легированных Zn и Mn”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 537–538 |
| 16. |
А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, “О механизмах рекомбинации в кристаллах арсенида индия”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 403–406 |
|
1985 |
| 17. |
Ю. Г. Малинин, С. В. Слободчиков, Г. М. Филаретова, В. М. Фетисова, “Влияние магнитного поля на фотоэффект диодов Шоттки на основе
$p$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1119–1122 |
|
1984 |
| 18. |
Г. Г. Ковалевская, Е. В. Руссу, С. В. Слободчиков, В. Г. Смирнов, В. М. Фетисова, Г. М. Филаретова, “Диоды Шоттки на основе компенсированного $p$-InP”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 600–603 |
| 19. |
И. А. Андреев, М. П. Михайлова, А. Н. Семенов, С. В. Слободчиков, Н. М. Стусь, Г. М. Филаретова, “Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных
твердых растворах на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 545–547 |
|
1983 |
| 20. |
М. М. Мередов, С. В. Слободчиков, В. Г. Смирнов, Г. М. Филаретова, “Продольный фотоэффект в диодах Шоттки
Au/$n$-InP с промежуточным слоем”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2084–2086 |
| 21. |
Г. Г. Ковалевская, С. В. Слободчиков, Г. М. Филаретова, “Усиление фототока в диодных структурах Au/$n$-InP$\langle\text{Fe}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1991–1994 |
|
1965 |
| 22. |
Ф. П. Кесаманлы, Ю. В. Рудь, С. В. Слободчиков, “О фотоэлектрических свойствах кристаллов $p$-$\mathrm{ZnSiAs}_2$ и $p$-$\mathrm{CdGeAs}_2$”, Докл. АН СССР, 161:5 (1965), 1065–1066 |
|
Обратная связь: