|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1985 |
1. |
Г. И. Дистлер, Е. И. Суворова, Ю. М. Герасимов, Е. И. Кортукова, Т. М. Охрименко, Г. С. Беликова, “О механизме слоистого роста кристаллов, включающем образование структурных дефектов”, Физика твердого тела, 27:2 (1985), 459–463 |
|
1983 |
2. |
Ю. М. Герасимов, Г. И. Дистлер, В. П. Макаров, А. Ш. Шалпыков, “О механизме кристаллизации и перекристаллизации примесной фазы $\mathrm{SrCl}_2$ на поверхности кристалла-матрицы
$\mathrm{KCl}$”, Докл. АН СССР, 272:5 (1983), 1119–1122 |
3. |
Г. И. Дистлер, В. М. Каневский, В. В. Москвин, С. Н. Постников, Л. А. Рябинин, В. П. Сидоров, Г. Д. Шнырев, “О влиянии слабого импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых тел”, Докл. АН СССР, 268:3 (1983), 591–593 |
1
|
|
1977 |
4. |
Г. И. Дистлер, С. А. Кобзарева, А. Н. Лобачев, О. К. Мельников, Н. С. Триодина, “Механизм образования монокристаллов содалита, выращенных гидротермальным
методом на затравках, покрытых граничными слоями”, Докл. АН СССР, 234:3 (1977), 582–585 |
|
1974 |
5. |
Г. И. Дистлер, А. Н. Лобачев, В. П. Власов, О. К. Мельников, Н. С. Триодина, “Новый метод выращивания монокристаллов”, Докл. АН СССР, 215:1 (1974), 91–94 |
|
1971 |
6. |
Г. И. Дистлер, “Электрическая структура поверхности полупроводников и граничных слоев”, Докл. АН СССР, 199:4 (1971), 802–805 |
7. |
Г. И. Дистлер, В. Г. Обронов, “Фотоэлектрический механизм дальнодействующей передачи и запоминания структурной информации поликристаллическими
и монокристальными граничными слоями”, Докл. АН СССР, 197:4 (1971), 819–822 |
8. |
Г. И. Дистлер, “Электрическая структура кристаллов”, УФН, 104:4 (1971), 685–687 ; G. I. Distler, “The electrical structure of crystals”, Phys. Usp., 14:4 (1972), 546–547 |
2
|
|
1970 |
9. |
Г. И. Дистлер, В. Г. Обронов, “Ориентированная кристаллизация на фотоэлектретных селеновых слоях, копирующих электрическую структуру поверхности
кристаллов”, Докл. АН СССР, 191:3 (1970), 584–587 |
|
1969 |
10. |
Г. И. Дистлер, С. А. Кобзарева, “Ориентированная кристаллизация на высокополимерных граничных слоях, копирующих по электретному механизму электрический рельеф поверхности кристаллов-подложек”, Докл. АН СССР, 188:4 (1969), 811–814 |
11. |
Г. И. Дистлер, “Электрическая структура граничных слоев”, Докл. АН СССР, 186:2 (1969), 293–295 |
|
1967 |
12. |
Г. И. Дистлер, Б. Б. Звягин, “Бездислокационный рост реальных кристаллов в результате дальнодействия локальных активных центров”, Докл. АН СССР, 174:5 (1967), 1082–1085 |
13. |
Г. И. Дистлер, С. А. Кобзарева, “Дальнодействие активных центров кристаллических поверхностей”, Докл. АН СССР, 172:5 (1967), 1069–1071 |
|
1966 |
14. |
В. Н. Лебедева, Г. И. Дистлер, Б. Н. Гречушников, “Оптическая анизотропия металлических текстур”, Докл. АН СССР, 167:3 (1966), 556–558 |
|
1965 |
15. |
Г. И. Дистлер, Ю. М. Герасимов, Н. М. Борисова, “Прямой метод исследования электрического микрорельефа кристаллических поверхностей”, Докл. АН СССР, 165:2 (1965), 329–331 |
|
1964 |
16. |
Г. И. Дистлер, П. С. Сотников, Е. И. Кортукова, “Влияние строения пленок поливинилового спирта на механизм процесса их пиролизации”, Докл. АН СССР, 156:3 (1964), 652–653 |
17. |
Г. И. Дистлер, С. А. Дарюсина, Ю. М. Герасимов, “Ранние стадии кристаллизации как метод установления неоднородности кристаллических поверхностей”, Докл. АН СССР, 154:6 (1964), 1328–1330 |
|