|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
А. В. Марков, Э. М. Омельяновский, В. Б. Освенский, А. Я. Поляков, М. В. Тишкин, “Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом
Чохральского с добавлением кислорода”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 507–511  |
|
1989 |
| 2. |
Л. А. Балагуров, И. М. Зарицкий, Н. Ю. Карпова, А. Ф. Орлов, Э. М. Омельяновский, Д. П. Уткин-Эдин, “Оптические и вибрационные свойства $a$-SiN$_{x}$ : H”, Физика твердого тела, 31:10 (1989), 237–241  |
| 3. |
Л. А. Балагуров, Ю. А. Дроздов, Н. Ю. Карпова, О. Е. Коробов, А. Н. Лупачева, Э. М. Омельяновский, А. Ф. Орлов, Т. А. Ухорская, “Оптические свойства и структура химических связей $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H”, Физика твердого тела, 31:10 (1989), 231–236 |
| 4. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, Г. В. Шепекина, “Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах
системы InGaAsP с помощью атомарного водорода”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1711–1713 |
| 5. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, Г. В. Шепекина, “Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1267–1269 |
| 6. |
Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, М. В. Тишкин, “Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках
при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
в вариантах температурного и частотного сканирования”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 725–727 |
| 7. |
Л. А. Балагуров, Н. Ю. Карпова, Э. М. Омельяновский, В. Е. Сизов, “Исследование спектров примесного поглощения
$a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H методом фотоакустической спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 673–676 |
| 8. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, О. М. Бородина, “О диффузии водорода в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 178–180 |
|
1988 |
| 9. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, О. М. Бородина, И. И. Наливайко, “К вопросу о механизме пассивации мелких доноров в арсениде галлия
атомарным водородом”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2217–2218 |
| 10. |
Л. А. Балагуров, Э. М. Омельяновский, К. К. Примбетов, М. Н. Стариков, “Энергетический спектр локализованных $D$-состояний в легированных
образцах $a$-Si : Н”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 1967–1971 |
| 11. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, “Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1892–1894 |
| 12. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, А. В. Говорков, О. М. Бородина, А. С. Брук, “Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении
атомарного водорода в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1203–1207 |
| 13. |
Л. А. Балагуров, Э. М. Омельяновский, С. А. Осташко, М. Н. Стариков, Л. Е. Стыс, “Особенности стационарной фотопроводимости аморфного
гидрогенизированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 168–171 |
| 14. |
Л. А. Балагуров, Э. М. Омельяновский, Т. Н. Пинскер, К. К. Примбетов, Д. П. Уткин-Эдин, “Исследование спектра локальных состояний $a$-Si : H методом
фотоэлектрической релаксационной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 155–157 |
| 15. |
А. В. Марков, Э. М. Омельяновский, В. Б. Освенский, А. Я. Поляков, И. А. Ковальчук, В. И. Райхштейн, М. В. Тишкин, “Влияние дислокаций на распределение глубоких центров
в полуизолирующем GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 44–48 |
|
1987 |
| 16. |
А. А. Балмашнов, К. С. Голованивский, Э. К. Кампс, Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, “Пассивация электрически активных центров в арсениде галлия в магнитоактивной микроволновой водородной плазме”, Докл. АН СССР, 297:3 (1987), 580–584 |
| 17. |
А. И. Белогорохов, Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, “О природе тонкой структуры в спектрах решеточного отражения арсенида галлия”, Физика твердого тела, 29:10 (1987), 2886–2889 |
| 18. |
Ю. Н. Большева, Ю. А. Григорьев, Э. М. Омельяновский, В. Б. Освенский, А. Я. Поляков, М. В. Тишкин, “О поведении ванадия в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2024–2027 |
| 19. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, Л. В. Куликова, “Пассивация мелких примесных центров в арсениде галлия с помощью
атомарного водорода”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1762–1764 |
| 20. |
Л. А. Балагуров, Э. М. Омельяновский, А. Г. Петухов, М. Н. Стариков, М. Г. Фойгель, “Оптические переходы с участием $D$-центров в аморфных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1631–1636 |
| 21. |
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, “Влияние атомарного водорода на свойства арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 842–847 |
| 22. |
А. В. Говорков, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. И. Райхштейн, В. А. Фридман, “Новый метод исследования микронеоднородности локальных центров в высокоомных полупроводниковых материалах с использованием РЭМ”, Письма в ЖТФ, 13:7 (1987), 385–388 |
|
1986 |
| 23. |
Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, Н. С. Рытова, В. И. Райхштейн, “Об определении параметров глубоких центров в высокоомных
полупроводниках методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
глубоких уровней
(ФЭРСГУ)”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1428–1432 |
| 24. |
Л. А. Балагуров, Н. Ю. Карпова, Э. М. Омельяновский, Т. Н. Пинскер, М. Н. Стариков, “Энергетический спектр глубоких состояний в щели подвижности
$a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 720–723 |
| 25. |
Л. А. Балагуров, Н. Ю. Карпова, Э. М. Омельяновский, Т. Н. Пинскер, М. Н. Стариков, “Энергетический спектр глубоких локализованных $D^{0}$-состояний
в $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 550–552 |
| 26. |
Л. А. Балагуров, Л. С. Иванов, Н. Ю. Карпова, Э. М. Омельяновский, М. Н. Стариков, Н. К. Устинова, Д. П. Уткин-Эдин, “Спектры ИК поглощения пленок аморфного гидрогенизированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 457–461 |
| 27. |
А. А. Балмашнов, К. С. Голованивский, Э. К. Кампс, Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, “Пассивация электрически активных центров в арсениде галлия потоком водородной плазмы”, Письма в ЖТФ, 12:24 (1986), 1486–1489 |
|
1985 |
| 28. |
А. М. Лошинский, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, “О природе полосы фотолюминесценции с энергией 1.14 эВ в кристаллах
InP”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 1986–1990 |
| 29. |
В. А. Курбатов, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. И. Райхштейн, В. В. Каратаев, А. Я. Нашельский, С. В. Якобсон, “Поглощение квантов с энергией, меньшей оптической энергии ионизации
примеси в фосфиде индия, легированном марганцем”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1763–1767 |
| 30. |
Л. А. Балагуров, Я. Я. Кютте, Э. М. Омельяновский, С. А. Осташко, Л. Е. Стыс, М. Г. Фойгель, “Особенности рекомбинации в аморфном гидрогенизированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1046–1051 |
| 31. |
В. П. Кузнецов, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. А. Фридман, Г. В. Шепекина, “Исследование спектра глубоких уровней в эпитаксиальных структурах
методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированных токов”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 735–737 |
| 32. |
Л. А. Балагуров, Э. М. Омельяновский, Т. Н. Пинскер, М. Н. Стариков, “Исследование плотности локализованных состояний в $a$-Si : Н
методом оптического поглощения”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 48–52 |
| 33. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, Э. М. Омельяновский, С. А. Фуксина, “ИК фотопроводимость
$a$-Si : Н в условиях собственной подсветки”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 44–47 |
|
1984 |
| 34. |
Р. И. Глориозова, С. П. Гришина, Л. И. Колесник, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, “К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1450–1454 |
| 35. |
В. В. Воронков, Г. И. Воронкова, В. П. Калинушкин, Д. И. Мурин, Э. М. Омельяновский, Л. Я. Первова, А. М. Прохоров, В. И. Райхштейн, “Новый тип примесных дефектов в полуизолирующем арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1363–1366 |
| 36. |
В. П. Кузнецов, М. А. Мессерер, Э. М. Омельяновский, “Прыжковая проводимость по глубоким примесным состояниям в InP$\langle\text{Mn}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 446–450 |
|
1963 |
| 37. |
В. И. Фистуль, М. Г. Мильвидский, Э. М. Омельяновский, С. П. Гришина, “О форме нахождения примесей в сильнолегированных монокристаллах германия и кремния $n$-типа”, Докл. АН СССР, 149:5 (1963), 1119–1122 |
|
Обратная связь: