|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
В. В. Емцев, П. М. Клингер, В. И. Фистуль, Ю. В. Шмарцев, “Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия
с собственными дефектами в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 997–1003  |
| 2. |
В. И. Фистуль, А. М. Павлов, Э. Н. Леваднюк, В. И. Михайлов, “Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si$-$Al”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 124–127 |
|
1990 |
| 3. |
П. М. Клингер, В. И. Фистуль, “Параметры компенсирующих центров в $n$-Si сильно компенсированным
облучением”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1118–1120 |
| 4. |
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров, “Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1038–1041 |
|
1989 |
| 5. |
С. З. Зайнабидинов, А. Р. Тураев, В. И. Фистуль, М. Д. Ходжаев, “Распад преципитатов никеля в монокристаллах кремния
под влиянием всестороннего сжатия”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2118–2121 |
| 6. |
Л. С. Берман, П. М. Клингер, В. И. Фистуль, “Определение параметров глубоких центров в перекомпенсированном
полупроводнике методом температурной зависимости емкости и активной
проводимости”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 1947–1950 |
| 7. |
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров, “Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. III. Теория растворимости”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 688–692 |
| 8. |
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров, “Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. II. Теория миграции, сравнение с экспериментом”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 684–687 |
| 9. |
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров, “Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. I. Теория миграции”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 677–683 |
|
1988 |
| 10. |
Ю. А. Бобровников, В. М. Казакова, В. И. Фистуль, “Квантовый гармонический резонанс в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 301–306 |
|
1987 |
| 11. |
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров, “Энергии миграций междоузельных $d$-примесей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1026–1029 |
| 12. |
С. З. Зайнабидинов, В. И. Фистуль, “Барические необратимые эффекты в кремнии с примесными преципитатами”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 766–767 |
| 13. |
К. С. Актов, С. З. Зайнабидинов, Ю. А. Карпов, В. И. Фистуль, “Барический распад преципитатов гадолиния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 764–765 |
|
1986 |
| 14. |
В. И. Фистуль, А. М. Павлов, А. П. Агеев, А. Ш. Аронов, “Электрические и фотоэлектрические свойства лазерно-имплантированных
структур”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2140–2144 |
| 15. |
В. В. Арбенина, А. Н. Аршавский, С. И. Скаковский, В. И. Фистуль, “Поведение амфотерной примеси Sn в эпитаксиальных слоях GaSb$\langle$Sn$\rangle$ и GaSb$\langle$Cd, Sn$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 109–112 |
| 16. |
А. Н. Аршавский, В. В. Арбенина, С. И. Скаковский, В. И. Фистуль, Н. Ю. Шлямов, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb, сильно легированных амфотерной примесью”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 104–108 |
|
1985 |
| 17. |
Г. В. Майрановский, В. И. Фистуль, М. В. Фистуль, “Концентрационные профили при неизотермической диффузии в твердых
телах”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2082–2085 |
| 18. |
В. В. Арбенина, А. Н. Аршавский, С. И. Скаковский, В. И. Фистуль, Н. Ю. Шлямов, “Зависимость люминесцентных свойств сильно легированных эпитаксиальных
слоев GaSb$\langle$Cd$\rangle$ от условий получения”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1414–1419 |
|
1984 |
| 19. |
А. Н. Аршавский, Н. С. Коровин, В. И. Фистуль, “Люминесцентные свойства тонких слоев антимонида галлия
на танталовых подложках”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1519–1521 |
| 20. |
В. К. Баженов, В. И. Фистуль, “Изоэлектронные примеси в полупроводниках.
Состояние проблемы”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1345–1362 |
| 21. |
В. И. Фистуль, “Рецензия на трехтомную монографию А.Р. Регеля и В.М. Глазова:
«Периодический закон и физические свойства электронных расплавов», т. 1; «Физические свойства электронных расплавов», т. 2; «Закономерности формирования структуры электронных расплавов», т. 3”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 961–964 |
| 22. |
В. И. Фистуль, М. И. Синдер, “Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках III. Сопоставление с экспериментом”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 797–801 |
| 23. |
Ю. А. Бобровников, В. М. Казакова, В. И. Фистуль, И. Д. Залевский, “Примесная зона кластеров железа в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 250–254 |
|
1983 |
| 24. |
В. И. Фистуль, М. И. Синдер, “Диффузионные приповерхностные примесные профили
в полупроводниках
II. Одновременная и взаимная диффузия”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2003–2008 |
| 25. |
В. И. Фистуль, М. И. Синдер, “Диффузионные приповерхностные примесные профили
в полупроводниках
I. Постановка задачи. Последовательная диффузия”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1995–2002 |
| 26. |
В. И. Фистуль, “Распределение амфотерной примеси по подрешеткам многокомпонентных
твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1107–1110 |
| 27. |
В. И. Фистуль, А. М. Павлов, “Лазерная имплантация примесей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 854–858 |
| 28. |
А. Г. Яковенко, Е. А. Шелонин, В. И. Фистуль, “Диэлектрическая релаксация в германии, легированном медью”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 345–346 |
|
1963 |
| 29. |
М. С. Чупахин, Г. Г. Главин, В. И. Фистуль, “Кластеры в сильнолегированном кремнии”, Докл. АН СССР, 150:5 (1963), 1059–1061 |
| 30. |
В. И. Фистуль, М. Г. Мильвидский, Э. М. Омельяновский, С. П. Гришина, “О форме нахождения примесей в сильнолегированных монокристаллах германия и кремния $n$-типа”, Докл. АН СССР, 149:5 (1963), 1119–1122 |
|
1962 |
| 31. |
В. И. Фистуль, Н. З. Шварц, “Туннельные диоды”, УФН, 77:1 (1962), 109–160 ; V. I. Fistul, N. Z. Shvarts, “Tunnel diodes”, Phys. Usp., 5:3 (1962), 430–459 |
10
|
|
1960 |
| 32. |
В. И. Фистуль, Д. Г. Андрианов, “Адсорбционные изменения поверхностной проводимости германия”, Докл. АН СССР, 130:2 (1960), 374–376 |
|
Обратная связь: