Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Пересада Геннадий Иванович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 6
Научных статей: 6

Статистика просмотров:
Эта страница:59
Страницы публикаций:400
Полные тексты:161

https://www.mathnet.ru/rus/person130374
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1992
1. С. Н. Балякин, В. Н. Ерофеев, Г. И. Пересада, “Влияние обратимого фазового перехода на микроструктуру и механические свойства кристаллов KCl$-$KBr”, Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2063–2068  mathnet  isi
2. С. Н. Вальковский, В. Н. Ерофеев, Г. И. Пересада, Е. Г. Понятовский, “Структурные превращения в кристаллах KCl, обусловленные фазовым переходом при высоком давлении”, Физика твердого тела, 34:2 (1992),  360–364  mathnet  isi
1988
3. Ю. А. Осипьян, Е. Г. Понятовский, В. Ю. Малышев, Г. И. Пересада, И. О. Башкин, В. И. Ращупкин, С. Ф. Кондаков, В. А. Бородин, А. Г. Пересада, М. Д. Нерсесян, И. П. Боровинская, “Влияние квазигидростатического давления до 65 кбар на сверхпроводящие переходы в YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{y}$, GdBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{y}$ и La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{y}$”, Физика твердого тела, 30:3 (1988),  904–906  mathnet  isi
1987
4. С. Н. Балякин, В. Н. Ерофеев, Г. И. Пересада, Э. Хартманн, “Электропроводность обработанных давлением кристаллов KCl”, Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2146–2147  mathnet  isi
1985
5. К. Р. Аллахвердиев, Т. Г. Мамедов, Г. И. Пересада, Е. Г. Понятовский, Я. Н. Шарифов, “Фазовые диаграммы слоистых полупроводников TlInS$_{2}$, TlGaS$_{2}$ и TlGaSe$_{2}$ при гидростатических давлениях до 1.2 ГПа”, Физика твердого тела, 27:3 (1985),  927–928  mathnet  isi
1962
6. Е. Г. Понятовский, Г. И. Пересада, “О фазовых превращениях антимонида индия при высоких всесторонних давлениях”, Докл. АН СССР, 144:1 (1962),  129–131  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024