|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
В. И. Остроумов, Г. Г. Соловьев, А. И. Труфанов, “Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния
в области значений поглощенных доз до 500 кГр”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1273–1276  |
|
1986 |
| 2. |
В. В. Заблоцкий, Н. А. Иванов, В. Ф. Космач, Н. Н. Леонов, В. И. Остроумов, “Легирование полупроводников с помощью фотоядерных реакций”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 625–628 |
|
1983 |
| 3. |
Ю. Р. Гисматуллин, В. И. Остроумов, “Механизм эмиссии протонов из ядер при неупругом рассеянии $\pi$- и K-мезонов промежуточных энергий”, УФН, 141:3 (1983), 556–558 ; Yu. R. Gismatullin, V. I. Ostroumov, “Mechanism of proton emission from nuclei accompanying inelastic scattering of intermediate-energy $\pi$– and K-mesons”, Phys. Usp., 26:11 (1983), 1019–1020 |
|
1964 |
| 4. |
Б. П. Афанасьев, В. И. Остроумов, “Сечения некоторых реакций поглощения быстрых $\pi^+$-мезонов легкими ядрами”, Докл. АН СССР, 159:6 (1964), 1255–1256 |
|
1961 |
| 5. |
В. Ф. Даровских, М. М. Макаров, В. И. Остроумов, “Наблюдение распада ядра $\mathrm{B}^9_5$ в ядерной эмульсии”, Докл. АН СССР, 141:3 (1961), 593–594 |
|
Обратная связь: