|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
В. Л. Берковиц, В. Н. Бессолов, Т. В. Львова, Е. Б. Новиков, В. И. Сафаров, Р. В. Хасиева, Б. В. Царенков, “Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика
движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1406–1413  |
| 2. |
Р. М. Амальская, Е. М. Гамарц, В. И. Сафаров, “Измерение эффективного времени жизни носителей заряда
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 529–536 |
| 3. |
В. Л. Берковиц, Л. Ф. Иванцов, И. В. Макаренко, Т. В. Львова, Р. В. Хасиева, В. И. Сафаров, “Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида
галлия, пассивированной в водном растворе Na$_{2}$S”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 379–384 |
|
1990 |
| 4. |
Л. Н. Болотов, Б. Е. Деркач, Л. Ф. Иванцов, И. В. Макаренко, П. Б. Плеханов, В. И. Сафаров, “Туннельная микроскопия поверхности кристаллов WSe$_{2}$”, Физика твердого тела, 32:5 (1990), 1523–1525  |
|
1988 |
| 5. |
В. Л. Берковиц, В. А. Киселев, Т. А. Минашвили, В. И. Сафаров, “Оптическое исследование закрепления уровня Ферми
на поверхности (110)
полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 66–71 |
|
1987 |
| 6. |
В. Л. Берковиц, Л. Ф. Иванцов, И. В. Макаренко, Т. А. Минашвили, В. И. Сафаров, “Спектры оптических переходов между собственными электронными
состояниями чистой поверхности (110) соединений
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 433–436 |
| 7. |
В. Л. Берковиц, В. А. Киселев, Т. А. Минашвили, В. И. Сафаров, “Оптическое обнаружение низкотемпературной физи- и хемисорбциии кислорода на чистой поверхности $Ga\,As (110)$”, Письма в ЖТФ, 13:12 (1987), 709–713 |
|
1986 |
| 8. |
В. Л. Берковиц, И. В. Макаренко, Т. А. Минашвили, В. И. Сафаров, “Анизотропия оптического отражения кубических полупроводников,
обусловленная поверхностным изгибом зон”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1037–1041 |
|
1961 |
| 9. |
Е. Ф. Гросс, Б. С. Разбирин, В. И. Сафаров, “Эффект Штарка на экситонных уровнях кристалла сульфида кадмия”, Докл. АН СССР, 140:6 (1961), 1285–1288 |
|
|
|
1987 |
| 10. |
А. Г. Забродский, В. И. Сафаров, “XVIII Международная конференция по физике полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 971–973 |
|
Обратная связь: