|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1974 |
1. |
Э. И. Адирович, Д. А. Аронов, Э. М. Мастов, Ю. М. Юабов, “К теории а.ф.н.- и а.ф.м.н.-эффектов в пленках теллурида кадмия”, Докл. АН СССР, 215:3 (1974), 558–561 |
|
1973 |
2. |
Э. И. Адирович, “К теории оптоэлектронных цепей”, Докл. АН СССР, 211:2 (1973), 312–315 |
|
1971 |
3. |
Э. И. Адирович, “Фотоэлектрический и фотомагнитный эффекты в полупроводниковых пленках”, УФН, 105:4 (1971), 746–748 ; È. I. Adirovich, “Major research trends in the fields of physics and astronomy at the institute of the uzbek academy of sciences”, Phys. Usp., 14:6 (1972), 788–789 |
4
|
|
1970 |
4. |
Э. И. Адирович, Д. А. Аронов, Н. Юнусов, “Оптрон с прямой оптической связью как четырехполюсник”, Докл. АН СССР, 192:5 (1970), 1011–1014 |
5. |
Э. И. Адирович, Ю. М. Юабов, Г. Р. Ягудаев, “Пленочные фотодиодные матрицы на гетеропереходах $n\mathrm{CdS}$ – $p\mathrm{CdTe}$”, Докл. АН СССР, 192:4 (1970), 764–767 |
|
1969 |
6. |
Э. И. Адирович, Э. М. Мастов, Ю. М. Юабов, “Фотомагнитный эффект в афн-пленках теллурида кадмия”, Докл. АН СССР, 188:6 (1969), 1254–1257 |
7. |
Э. И. Адирович, А. И. Лукьянова, Ш. А. Мирсагатов, В. В. Морозкин, В. М. Рубинов, “Светодиоды с гистерезисом излучения”, Докл. АН СССР, 188:2 (1969), 304–307 |
8. |
Э. И. Адирович, А. Г. Вишневецкий, П. М. Карагеоргий-Алкалаев, “К динамической теории регенеративного оптрона”, Докл. АН СССР, 186:6 (1969), 1281–1283 |
9. |
Э. И. Адирович, П. И. Книгин, О. А. Тихомирова, Э. В. Цибулин, “Условие полной регенерации в оптроне с фоторезистором”, Докл. АН СССР, 186:5 (1969), 1037–1040 |
10. |
Э. И. Адирович, А. Г. Вишневецкий, П. И. Книгин, О. А. Тихомирова, Э. В. Цибулин, “К теории регенеративного оптрона”, Докл. АН СССР, 186:4 (1969), 799–802 |
|
1968 |
11. |
Э. И. Адирович, Л. А. Дубровский, В. М. Рубинов, Л. Б. Суздалкина, “Оптические свойства пленок на полупроводниковых подложках”, Докл. АН СССР, 182:3 (1968), 534–537 |
12. |
Э. И. Адирович, В. А. Бендерский, Н. Шакиров, “О кинетике и времени релаксации фототока в афн-пленках теллурида кадмия”, Докл. АН СССР, 181:5 (1968), 1090–1093 |
13. |
Э. И. Адирович, Л. А. Дубровский, “Гетероконтакт полупроводник – диэлекрик с потенциальной ловушкой для электронов в приконтактном слое”, Докл. АН СССР, 180:1 (1968), 52–55 |
14. |
Э. И. Адирович, Л. А. Дубровский, “Вольт-амперная характеристика гетероконтакта полупроводник – диэлектрик”, Докл. АН СССР, 178:1 (1968), 68–71 |
|
1967 |
15. |
Э. И. Адирович, Л. А. Дубровский, Л. Б. Суздалкина, “Эмиссионные токи в диодных структурах на пленках арсенида галлия”, Докл. АН СССР, 177:5 (1967), 1047–1049 |
16. |
Э. И. Адирович, В. М. Рубинов, Ю. М. Юабов, “Афн-эффект в монохроматическом свете”, Докл. АН СССР, 174:3 (1967), 545–548 |
17. |
Э. И. Адирович, Л. А. Дубровский, “Эмиссия Шоттки и токи в диэлектриках”, Докл. АН СССР, 173:5 (1967), 1032–1035 |
18. |
Э. И. Адирович, Н. Шакиров, “Релаксация аномально больших фотонапряжений в пленках теллурида кадмия”, Докл. АН СССР, 173:2 (1967), 298–301 |
|
1966 |
19. |
Э. И. Адирович, В. М. Рубинов, Ю. М. Юабов, “О природе афн-эффекта в полупроводниковых пленках”, Докл. АН СССР, 168:5 (1966), 1037–1040 |
20. |
Э. И. Адирович, В. И. Гордеев, “Исследование регенеративного оптрона с оптической обратной связью”, Докл. АН СССР, 168:2 (1966), 310–313 |
|
1965 |
21. |
Э. И. Адирович, Л. А. Дубровский, “Диэлектрическая электроника и квадратичный закон токов, ограниченных пространственным зарядом”, Докл. АН СССР, 164:4 (1965), 771–774 |
22. |
Э. И. Адирович, В. М. Рубинов, Ю. М. Юабов, “Микрофотобатарея или фотоэлемент”, Докл. АН СССР, 164:3 (1965), 529–532 |
23. |
Э. И. Адирович, П. И. Книгин, Ю. С. Королев, “Новый гистерезисный эффект в кремниевых $p$ – $n$-переходах”, Докл. АН СССР, 161:1 (1965), 70–73 |
|
1964 |
24. |
Э. И. Адирович, С. П. Лунежев, З. П. Мироненкова, “Фазово-компенсационный метод измерения релаксационных времен порядка $10^{-10}$ сек. в $p$–$n$-переходах”, Докл. АН СССР, 159:3 (1964), 532–535 |
25. |
Э. И. Адирович, П. И. Книгин, “Фотопроводимость при больших световых потоках и эффективное сечение бимолекулярной рекомбинации в кремнии”, Докл. АН СССР, 158:3 (1964), 570–573 |
26. |
Э. И. Адирович, Л. М. Гольдштейн, “А.ф.н.-пленки, получаемые сублимацией атомов $\mathrm{Si}$ с поверхности токонесущей кремниевой пластинки”, Докл. АН СССР, 158:2 (1964), 313–316 |
27. |
Э. И. Адирович, “К теории фотопроводимости в тонких полупроводниковых слоях”, Докл. АН СССР, 157:2 (1964), 313–316 |
28. |
Э. И. Адирович, В. М. Рубинов, Ю. М. Юабов, “Исследование аномально больших фотонапряжений в тонких пленках кремния”, Докл. АН СССР, 157:1 (1964), 76–78 |
29. |
Э. И. Адирович, Ю. М. Юабов, “Кремниевые пленки с аномально большими фотонапряжениями”, Докл. АН СССР, 155:6 (1964), 1286–1289 |
|
1963 |
30. |
Э. И. Адирович, “О вентильной и диффузионной фото-э.д.с.”, Докл. АН СССР, 151:5 (1963), 1060–1063 |
31. |
Э. И. Адирович, “Об аномальном дембер-эффекте”, Докл. АН СССР, 150:6 (1963), 1252–1255 |
|
1962 |
32. |
Э. И. Адирович, Е. М. Кузнецова, “Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с локальными уровнями”, Докл. АН СССР, 147:4 (1962), 813–816 |
33. |
Э. И. Адирович, Е. М. Кузнецова, “Влияние уровней прилипания на кинетику электронных процессов в $p$ – $n$-переходах”, Докл. АН СССР, 145:1 (1962), 67–70 |
|
1961 |
34. |
Э. И. Адирович, В. М. Фридкин, “Закон взаимозаместимости и квазистационарность электронных процессов в фотоэлектретах”, Докл. АН СССР, 138:4 (1961), 820–823 |
35. |
Э. И. Адирович, “Распределение гетерозаряда и поля в фотоэлектретах”, Докл. АН СССР, 137:6 (1961), 1335–1338 |
36. |
Э. И. Адирович, “Радикальная полимеризация как энергетический цепной процесс, осуществляемый при помощи экситона”, Докл. АН СССР, 136:1 (1961), 117–120 |
|
1950 |
37. |
Э. И. Адирович, “Люминесценция и законы спектрального преобразования света”, УФН, 40:3 (1950), 341–368 |
1
|
|
|
38. |
Э. Адирович, “Г. Гарлик. Люминесцирующие вещества”, УФН, 41:3 (1950), 419–424 |
|