Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Багоцкая Ирина Алексеевна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 6
Научных статей: 6

Статистика просмотров:
Эта страница:89
Страницы публикаций:609
Полные тексты:260
доктор химических наук (1969)

Научная биография:

Багоцкая, Ирина Алексеевна. Строение двойного электрического слоя и реакции электровосстановления на галлиевом электроде : диссертация ... доктора химических наук : 02.00.00. - Москва, 1969. - 257 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person128028
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=47136

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1964
1. А. Н. Фрумкин, Н. Б. Григорьев, И. А. Багоцкая, “Изучение строения двойного электрического слоя на галлии методом измерения дифференциальной емкости”, Докл. АН СССР, 157:4 (1964),  957–960  mathnet
2. К. Сабо, И. А. Багоцкая, “Исследование влияния рН и концентрации электролита на перенапряжение водорода на капельном галлиевом электроде”, Докл. АН СССР, 156:2 (1964),  420–423  mathnet
1963
3. К. Сабо, И. А. Багоцкая, “Исследование влияния строения двойного электрического слоя и $\mathrm{pH}$ раствора на перенапряжение водорода на галлии”, Докл. АН СССР, 150:1 (1963),  128–131  mathnet
4. К. Сабо, И. А. Багоцкая, “Исследование перенапряжения водорода на твердом и жидком галлии в растворе серной кислоты”, Докл. АН СССР, 149:1 (1963),  139–141  mathnet
1962
5. И. А. Багоцкая, “Исследование влияния строения двойного электрического слоя на реакцию электрохимической десорбции”, Докл. АН СССР, 142:5 (1962),  1105–1107  mathnet
1960
6. И. А. Багоцкая, Л. Д. Ковба, “Исследование влияния состояния диффузионной стороны железной мембраны на скорость диффузии электролитического водорода”, Докл. АН СССР, 133:4 (1960),  862–865  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024