|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. В. Нагорный, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский, А. Н. Алексеев, С. И. Петров, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, В. А. Солодуха, “Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 540–544   [E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, A. G. Voinilovich, I. E. Svitsiankou, A. V. Nagorny, V. A. Shulenkova, G. P. Yablonskii, A. N. Alekseev, S. I. Petrov, Ya. A. Solov'ev, A. N. Pyatlitski, D. V. Zhigulin, V. A. Solodukha, “Stimulated emission of AlGaN layers grown on sapphire substrates using ammonia molecular beam epitaxy”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 540–544   ] |
3
|
|
2017 |
| 2. |
А. В. Семченко, Д. Л. Коваленко, В. В. Сидский, О. И. Тюленкова, Н. И. Тюленкова, В. А. Солодуха, А. Н. Петлицкий, Н. С. Ковальчук, “Столбчатые наноструктуры на основе оксида цинка, сформированные золь-гель методом”, ПФМТ, 2017, № 3(32), 28–31 |
| 3. |
В. В. Сидский, А. В. Семченко, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, “Влияние условий обработки на структуру и сегнетоэлектрические свойства SBTN-плёнок, полученных золь-гель методом”, ПФМТ, 2017, № 1(30), 17–21 |
1
|
|
Обратная связь: