|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, E. V. Shornikova, D. R. Yakovlev, A. L. Efros, “Dangling bond spins controlling recombination dynamics of excitons in colloidal nanocrystals and nanoplatelets”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 500   ; Semiconductors, 52:5 (2018), 572–574 |
6
|
|
1991 |
| 2. |
С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, Т. В. Язева, М. А. Абдуллаев, “Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах
In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 493–503 |
|
1990 |
| 3. |
Г. Б. Григорян, А. В. Родина, Ал. Л. Эфрос, “Экситоны и биэкситоны в квантоворазмерных микрокристаллах полупроводников, диспергированных в диэлектрической стеклянной матрице”, Физика твердого тела, 32:12 (1990), 3512–3521  |
| 4. |
Г. Б. Григорян, Э. М. Казарян, Ал. Л. Эфрос, Т. В. Язева, “Квантование дырки и край поглощения в сферических микрокристаллах полупроводников со сложной структурой валентной зоны”, Физика твердого тела, 32:6 (1990), 1772–1779 |
| 5. |
Ф. Г. Пикус, Г. Г. Самсонидзе, А. Л. Эфрос, “Максимальная низкотемпературная подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах с толстым спейсерным слоем”, Физика твердого тела, 32:4 (1990), 1201–1207 |
| 6. |
С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, “Ширина линий экситонного поглощения в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP”, Физика твердого тела, 32:4 (1990), 999–1006 |
| 7. |
Б. Л. Гельмонт, А. В. Родина, Ал. Л. Эфрос, “Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 198–201 |
|
1989 |
| 8. |
А. И. Екимов, И. А. Кудрявцев, М. Г. Иванов, Ал. Л. Эфрос, “Фотолюминесценция квазинульмерных полупроводниковых структур”, Физика твердого тела, 31:8 (1989), 192–207 |
| 9. |
А. И. Екимов, А. П. Скворцов, Т. В. Шубина, С. К. Шумилов, Ал. Л. Эфрос, “Квантово-размерный эффект Штарка в микрокристаллах полупроводников”, ЖТФ, 59:3 (1989), 202–204 |
|
1988 |
| 10. |
М. Э. Райх, Ал. Л. Эфрос, “Уширение экситонных линий в полумагнитном полупроводнике”, Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1708–1717 |
| 11. |
З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, Ал. Л. Эфрос, “Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров
в квантовой яме конечной глубины”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2124–2130 |
| 12. |
В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, А. В. Осутин, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, Т. В. Язева, “Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1416–1421 |
| 13. |
М. Г. Иванов, И. А. Меркулов, Ал. Л. Эфрос, “Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 628–633 |
| 14. |
П. С. Копьев, И. Н. Уральцев, Ал. Л. Эфрос, Д. Р. Яковлев, А. В. Винокурова, “Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях
ширины квантовой ямы”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 424–432 |
|
1987 |
| 15. |
А. Г. Расулов, П. Р. Сейсян, М. В. Стам, А. А. Торопов, Ал. Л. Эфрос, “Квазидвумерное поведение диамагнитных экситонов в кристаллах GaSe”, Физика твердого тела, 29:11 (1987), 3308–3311 |
| 16. |
Б. Л. Гельмонт, Г. В. Михайлов, А. Г. Панфилов, Б. С. Разбирин, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, “Диамагнитные экситоны в гексагональных кристаллах A$_{2}$B$_{6}$”, Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1730–1739 |
| 17. |
А. А. Узаков, А. Л. Эфрос, “Влияние случайного поля на энергию активации электронов в зону
проводимости”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 922–926 |
| 18. |
А. И. Екимов, А. А. Онущенко, С. К. Шумилов, А. Л. Эфрос, “Локализация взаимодействующей с электроном дырки в трехмерных микрокристаллах полупроводников”, Письма в ЖТФ, 13:5 (1987), 281–285 |
|
1986 |
| 19. |
В. Л. Нгуен, М. Э. Райх, А. Л. Эфрос, “Низкотемпературная плотность состояний в бесщелевом полупроводнике в окрестности уровня Ферми”, Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2019–2022 |
| 20. |
М. Э. Райх, А. Л. Эфрос, “Резонансное рассеяние и низкотемпературная подвижность электронов в бесщелевых растворах на основе HgTe”, Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1307–1316 |
| 21. |
К. И. Гейман, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, В. А. Юкиш, Ал. Л. Эфрос, “Экситонные состояния в межзонном поглощении теллурида свинца при наличии магнитного поля”, Физика твердого тела, 28:3 (1986), 855–861 |
| 22. |
М. Э. Райх, А. Л. Эфрос, “Структура примесной зоны в бесщелевых соединениях типа Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика твердого тела, 28:1 (1986), 208–217 |
| 23. |
Ал. Л. Эфрос, “Экситоны в структурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1281–1287 |
| 24. |
Р. П. Сейсян, А. Л. Эфрос, Т. В. Язева, “Образование оптической щели в спектре уровней Ландау тяжелых дырок германия”, Письма в ЖТФ, 12:6 (1986), 369–373 |
|
1984 |
| 25. |
М. Э. Райх, А. Л. Эфрос, “Влияние упругих деформаций на взаимодействие электронов с флуктуациями состава в твердых растворах”, Физика твердого тела, 26:5 (1984), 1508–1510 |
| 26. |
М. Э. Райх, Ал. Л. Эфрос, “Уширение линии диамагнитного экситона в твердых растворах”, Физика твердого тела, 26:1 (1984), 106–113 |
| 27. |
Б. Л. Гельмонт, С. Б. Султанов, Ал. Л. Эфрос, “Закон дисперсии экситона и биэкситона в алмазоподобных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2214–2219 |
| 28. |
А. Д. Быховский, Э. М. Вахабова, Б. Л. Гельмонт, Ал. Л. Эфрос, “Уровни энергии акцептора в полумагнитном полупроводнике в магнитном
поле”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2094–2098 |
| 29. |
Ю. Е. Каменев, Р. В. Парфеньев, Ал. Л. Эфрос, Т. В. Язева, “Дискретная структура диамагнитного экситона в осцилляциях
фотомагнитного эффекта и фотопроводимости InSb в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 206–211 |
| 30. |
Б. М. Горбовицкий, Ал. Л. Эфрос, T. B. Язева, “Расчет энергетических уровней Ландау тяжелых дырок в германии”, Письма в ЖТФ, 10:6 (1984), 321–325 |
|
1983 |
| 31. |
Н. Н. Аблязов, М. Э. Райх, А. Л. Эфрос, “Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах”, Физика твердого тела, 25:2 (1983), 353–358 |
| 32. |
Л. М. Канская, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, В. А. Юкиш, “Параметры энергетических зон кристаллов арсенида индия”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 718–720 |
| 33. |
Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос, “Современное состояние теории прыжковой электропроводности”, УФН, 141:4 (1983), 711–712 ; B. I. Shklovskii, A. L. Efros, “Contemporary state of the theory of hopping electrical conduction”, Phys. Usp., 26:12 (1983), 1109–1110 |
1
|
|
1978 |
| 34. |
А. Л. Эфрос, “Локализация электронов в неупорядоченных системах (переход Андерсона)”, УФН, 126:1 (1978), 41–65 ; A. L. Efros, “Electron localization in disordered systems (the Anderson transition)”, Phys. Usp., 21:9 (1978), 746–760 |
33
|
|
1975 |
| 35. |
Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос, “Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред”, УФН, 117:3 (1975), 401–435 ; B. I. Shklovskii, A. L. Efros, “Percolation theory and conductivity of strongly inhomogeneous media”, Phys. Usp., 18:11 (1975), 845–862 |
326
|
|
1973 |
| 36. |
А. Л. Эфрос, “Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках”, УФН, 111:3 (1973), 451–482 ; A. L. Efros, “Density of states and interband absorption of light in strongly doped semiconductors”, Phys. Usp., 16:6 (1974), 789–805 |
51
|
|
|
|
1988 |
| 37. |
А. А. Абрикосов, Е. Б. Александров, Ж. И. Алфёров, М. И. Дьяконов, Б. П. Захарченя, Ю. М. Каган, Л. В. Келдыш, И. А. Меркулов, А. Л. Эфрос, “Владимир Иделевич Перель (К шестидесятилетию со дня рождения)”, УФН, 156:3 (1988), 549–550 ; A. A. Abrikosov, E. B. Aleksandrov, Zh. I. Alferov, M. I. Dyakonov, B. P. Zakharchenya, Yu. M. Kagan, L. V. Keldysh, I. A. Merkulov, A. L. Efros, “Vladimir Idelevich Perel' (on his sixtieth birthday)”, Phys. Usp., 31:11 (1988), 1039 |
|
Обратная связь: