|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Н. В. Мелех, А. О. Аверьянов, В. А. Гуртов, “Исследователи в сфере искусственного интеллекта: анализ на основе диссертационных работ”, Искусственный интеллект и принятие решений, 2023, № 3, 109–122   |
|
1991 |
| 2. |
В. А. Гуртов, И. В. Травков, “Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП
структур при облучении”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 385–389 |
|
1990 |
| 3. |
В. А. Гуртов, А. И. Назаров, И. В. Травков, “Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП
структур при облучении”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 969–977 |
|
1989 |
| 4. |
С. Н. Кузнецов, В. А. Гуртов, “Спектроскопия локализованных состояний в запрещенной зоне нитрида
кремния методом двойного фотовозбуждения”, ЖТФ, 59:4 (1989), 169–171  |
|
1987 |
| 5. |
С. Н. Кузнецов, В. А. Гуртов, “Генерация положительного заряда в окисле МДП структур
на кремнии при участии горячих электронов”, ЖТФ, 57:10 (1987), 1990–1992 |
|
1986 |
| 6. |
А. А. Гузев, В. А. Гуртов, “Экранировка флуктуаций поверхностного потенциала в МДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2065–2071 |
| 7. |
В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков, Г. Л. Курышев, В. Г. Половинкин, “Релаксация неравновесного поверхностного потенциала МДП структур
в режиме постоянного заряда”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1042–1048 |
| 8. |
В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков, Г. Л. Курышев, “Зарядовые эффекты в МДП структурах на антимониде индия”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 413–415 |
|
1985 |
| 9. |
В. А. Гуртов, М. В. Золотов, “Влияние крупномасштабных неоднородностей на релаксацию неравновесной
емкости МДП структур”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2127–2130 |
|
1984 |
| 10. |
Ю. А. Александров, Ю. Ю. Барышников, В. А. Гуртов, И. Л. Захаров, О. Н. Ивашенков, “Окислы, осажденные из металлоорганических соединений
для МДП структур
на полупроводниках группы A$^{3}$B$^{5}$”, ЖТФ, 54:5 (1984), 965–966 |
| 11. |
А. А. Гузев, В. А. Гуртов, “Пространственный масштаб статистических флуктуаций потенциала в МДП
структурах”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1367–1372 |
|
1983 |
| 12. |
С. Г. Асатрян, В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков, Г. А. Курбатов, “Электрофизические свойства термического окисла тантала в МДП
структурах”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1791–1794 |
|
Обратная связь: