|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2003 |
| 1. |
А. В. Ефанов, К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, В. Кельнер, Х. Пашер, “Наблюдение эффектов обменного взаимодействия при оптической ориентации экситонов в AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 77:10 (2003), 664–667  ; A. V. Efanov, K. S. Zhuravlev, T. S. Shamirzaev, W. Kellner, H. Pasher, “Observation of exchange interaction effects under optical orientation of excitons in AlGaAs”, JETP Letters, 77:10 (2003), 561–564  |
1
|
|
2001 |
| 2. |
А. Б. Талочкин, С. П. Супрун, А. В. Ефанов, И. Г. Кожемяко, В. Н. Шумский, “Рамановский $E_1$, $E_1+\Delta _1$ резонанс в ненапряженных квантовых точках германия”, Письма в ЖЭТФ, 73:6 (2001), 336–340 ; A. B. Talochkin, S. P. Suprun, A. V. Efanov, I. G. Kozhemyako, V. N. Shumskii, “Raman $E$ , $E_1+\Delta_1$ resonance in unstrained germanium quantum dots”, JETP Letters, 73:6 (2001), 297–300 |
1
|
|
1990 |
| 3. |
А. В. Ефанов, “Шоттковское экранирование заряженной дислокационной стенки
в полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 902–907 |
|
1988 |
| 4. |
А. В. Ефанов, М. В. Энтин, “Поведение ЭДС Дембера на горячих электронах в слабом магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 386–389 |
|
1987 |
| 5. |
А. В. Ефанов, М. В. Энтин, “Точное решение задачи о шоттковском экранировании заряженной полосы
в полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2013–2017 |
|
1986 |
| 6. |
А. В. Ефанов, М. В. Энтин, “Об устойчивости решения уравнения нелинейного экранирования”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1932–1933 |
| 7. |
А. В. Ефанов, М. В. Энтин, “Теория ЭДС Дембера на горячих электронах”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 20–24 |
|
Обратная связь: