Т.Т. Муратов, “Эффект стабилизации времени жизни носителей заряда в полупроводниках в магнитном поле”, ВМУ. Серия 3. Физика. Астрономия., 78:2 (2023), 2320503-1–2320503-5
2.
T.T. Muratov, “The Effect of Stabilizing the Lifetime of Charge Carriers in Semiconductors in a Magnetic Field”, Moscow University Physics Bulletin, 78:2 (2023), 159–163
3.
Т.Т. Муратов, “Влияние эффекта Зеемана на процесс трехчастичной рекомбинации в ультрахолодной плазме”, Известия вузов. Физика, 66:8 (2023), 74–79
4.
Т.Т. Муратов, “Эффект компенсации роста времени жизни носителей заряда в полупроводниках в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022), 1055-1059
5.
T.T. Muratov, “Compensation effect of growth of the lifetime of charged carriers in semiconductors at a magnetic field”, Semiconductors, 56:11 (2022), 831-835
6.
Muratov T.T., “Donor-Level Energy and Width near the Heterointerface”, Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 15:2 (2021), 10.1134/S1027451021020282 , 4 pp.
7.
Муратов Т.Т., “Энергия и ширина донорного уровня вблизи гетерограницы”, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 4 (2021) , 5 с.
8.
Т.Т. Муратов, “Статистический подход к процессу туннельной ионизации примесных центров вблизи гетерограницы”, Конденсированные среды и межфазные границы, 23:4 (2021), 529-534 https://orcid.org/0000-0002-0905-6620
9.
T.T. Muratov, “Statistical approach to the process of tunnel ionisation of impurity centres near the heterointerface”, Condensed Matter and Interphases, 23:4 (2021), 529-534
10.
Т.Т. Муратов, “Рекомбинация носителей заряда через мелкие уровни бора в кремнии при низких температурах”, Прикладная физика, 2019, № 3, 39–44
11.
Т.Т. Муратов, “Рекомбинация носителей заряда через возбужденные уровни бора в кремнии при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1609–1613; T. T. Muratov, “Recombination of Mobile Carriers Across Boron Excited Levels in Silicon at Low Temperatures”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1573–1577
12.
Т.Т. Муратов, “Уточнение критерия сильной локализации электронов на поверхности полупроводника”, Физика электромагнитных явлений, 2018, № 2 http://elib.bsu.by/handle/123456789/202694
13.
Т.Т. Муратов, “Каскадный захват высокоэнергетических носителей заряда на экранированных кулоновских центрах в полупроводниках”, Вестник НИЯУ МИФИ, 6:5 (2017), 389–395
14.
Муратов Темур Ташкабаевич, “Локальные поправки к транспортному сечению рассеяния носителей заряда в полупроводниках”, Вестник ВГУ. Серия: Физика, Математика, 2016, № 1, 24–32
15.
Муратов Т.Т., “Поправки к транспортному сечению рассеяния носителей заряда в полупроводниках”, Вестник Пермского государственного университета. Серия Физика, 32:1 (2016), 11–17
16.
Т. Т. Муратов, “Вклад резонансного рассеяния носителей заряда в уширение кривой классического циклотронного резонанса в квазидвух- и трехмерных полупроводниках”, Вестн. Южно-Ур. ун-та. Сер. Матем. Мех. Физ., 6:4 (2014), 36–47
17.
Муратов Т.Т., “Формализм магнетосечений нейтральных центров при резонансном рассеянии носителей заряда в невырожденных полупроводниках”, Вестник Новосибирского государственного университета. Серия физика, 8:4 (2013), 136–157
18.
Муратов Т.Т., “Влияние резонансного рассеяния носителей тока на электрические и тепловые свойства ковалентных полупроводников”, Вестник СПбГУ. Сер. Физика, химия, 4:2 (2012), 3–9
Обратная связь: