1. |
I. A. Avrutskiĭ, L. M. Batukova, E. M. Dianov, B. N. Zvonkov, N. B. Zvonkov, G. A. Maksimov, I. G. Malkina, L. V. Medvedeva, T. N. Yan'kova, “Lasers emitting at a wavelength of 0.98 μm, constructed from InGaP/GaAs heterostructures grown by MOCVD method”, Kvantovaya Elektronika, 21:10 (1994), 921–924 [Quantum Electron., 24:10 (1994), 859–862 ] |
4
|