|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
I. M. Tiginyanu, N. A. Moldovyan, O. B. Stoika, “Phonon spectrum and band edge absorption in $\mathrm{CdAl}_{2}\mathrm{S}_{4}$”, Fizika Tverdogo Tela, 34:3 (1992), 967–969  |
|
1991 |
| 2. |
N. A. Moldovyan, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, “Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов
ZnAl$_{2(1-x)}$Ga$_{2x}$S$_{4}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991), 2038–2039 |
|
1990 |
| 3. |
I. A. Damaskin, Val. P. Zenchenko, S. L. Pyshkin, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. E. Tezlevan, V. N. Fulga, “Raman spectra of the $\mathrm{CdIn}_2\mathrm{S}_4$ compound with various ordering of cation sublattice”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 315:6 (1990), 1365–1367 |
| 4. |
V. L. Avgustimov, D. I. Bidnyk, S. P. Kostenko, O. G. Maksimova, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, A. K. Shkol'nyi, “Change of close order in $\mathrm{Hg}_x\mathrm{Cd}_{1-x}\mathrm{Te}$ surface layers under $\mathrm{He}^{2+}$ ion implantation”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 313:2 (1990), 330–333 |
| 5. |
F. P. Korshunov, S. I. Radautsan, N. A. Sobolev, I. M. Tiginyanu, E. A. Kudryavtseva, V. A. Ursu, I. N. Tsyplenkov, V. N. Lamm, V. A. Sheraukhov, “Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию
эпитаксиальных слоев в $n$-InP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:11 (1990), 2034–2036 |
|
1989 |
| 6. |
S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, Yu. O. Derid, “Influence of the tetragonal compression of lattice on the luminescent properties of the $\mathrm{A}^\mathrm{II}\mathrm{B}_2^\mathrm{III}\mathrm{C}_4^\mathrm{VI}$ compounds”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 305:2 (1989), 347–350 |
| 7. |
I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, V. N. Fulga, “О фазовом переходе порядок$-$беспорядок в катионной подрешетке
соединения ZnGa$_{2}$Se$_{4}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989), 1725–1727 |
| 8. |
F. P. Korshunov, S. I. Radautsan, N. A. Sobolev, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, E. A. Kudryavtseva, “Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами
с энергией ${3.5\div4}$ МэВ”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989), 1581–1583 |
| 9. |
I. M. Tiginyanu, “Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по
энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989), 1568–1571 |
|
1988 |
| 10. |
I. M. Tiginyanu, N. B. Pyshnaya, A. V. Spitsyn, V. V. Ursaki, “Влияние имплантации ионов собственных компонентов
на электрические свойства кристаллов GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988), 1814–1817 |
| 11. |
V. P. Kalinushkin, T. M. Murina, I. M. Tiginyanu, V. A. Yur'ev, “Влияние отжига на рассеяние света примесными скоплениями
в полуизолирующих кристаллах InP : Fe и GaAs : Cr”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1112–1114 |
| 12. |
A. N. Georgobiani, Z. P. Ilyukhina, N. B. Pyshnaya, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1110–1112 |
| 13. |
I. I. Pokaznoi, F. S. Shishiyanu, I. M. Tiginyanu, V. P. Nikiforov, V. P. Shontya, “Влияние давления паров мышьяка на свойства нелегированного
полуизолирующего GaAs при термообработке”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1108–1110 |
| 14. |
A. N. Georgobiani, I. M. Tiginyanu, “Антиструктурные дефекты в соединениях
$A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 3–15 |
|
1986 |
| 15. |
A. N. Georgobiani, P. N. Metelinskii, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Optical properties of $\mathrm{HgGa}_{2}\mathrm{Se}_{4}$ near the fundamental absorption edge”, Fizika Tverdogo Tela, 28:4 (1986), 1179–1180 |
| 16. |
A. N. Georgobiani, P. N. Metelinskii, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Correction to the Paper «Effect of Anealing and Im plantation of Selenium Ions on Photoconduction and Luminescence Spectra of HgGa$_2$Se$_4$»”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986), 2131 ; Semiconductors, 20:11 (1986), 1332  |
| 17. |
A. N. Georgobiani, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Temperature Dependence of Absorption Edge in CdGa$_{2}$Se$_{4}$ and CdIn$_{2}$Se$_{4}$ Compounds”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986), 1914–1916 |
| 18. |
A. N. Georgobiani, P. N. Metelinskii, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Effect of Annealing and Implantation of Selenium Ions on Photocondttction and Luminescence Spectra of HgGa$_{2}$Se$_{4}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986), 1116–1118 |
|
1985 |
| 19. |
A. N. Georgobiani, A. V. Mikulenok, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Photoconduction of Indium Phosphide
due to P$_{\text{In}}$ Anti-Structural
Defect”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985), 1310–1312 |
| 20. |
A. N. Georgobiani, V. P. Kalinushkin, A. V. Mikulenok, D. I. Murin, A. M. Prokhorov, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Aggregate of Electrically Active Impurities in Indium-Phosphide Single Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985), 810–813 |
| 21. |
A. N. Georgobiani, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, “A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$ Wide-Band Semiconductors: Optical and Photoelectric Properties and Prospects of Application (Review”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985), 193–212 |
| 22. |
A. N. Georgobiani, A. V. Mikulenok, O. V. Ogneva, V. N. Ravich, I. G. Stoyanova, I. M. Tiginyanu, “Properties of $p{-}n$ Junction Produced by Magnesiu-Ion Implantation into InP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985), 160–161 |
|
1984 |
| 23. |
A. N. Georgobiani, A. V. Mikulenok, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах
InP$\langle$Fe$\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984), 1812–1815 |
|
1983 |
| 24. |
A. N. Georgobiani, A. V. Mikulenok, V. N. Ravich, I. G. Stoyanova, I. M. Tiginyanu, “Фотолюминесценция кристаллов
InP и InP : Fe с имплантированной примесью магния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983), 2177–2179 |
| 25. |
A. N. Georgobiani, V. S. Donu, Z. P. Ilyukhina, V. I. Pavlenko, I. M. Tiginyanu, “Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983), 1524–1525 |
| 26. |
A. N. Georgobiani, A. V. Mikulnok, E. I. Panasyuk, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, “Глубокие центры в не легированных и легированных железом
монокристаллах фосфида индия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983), 593–598 |
|
1982 |
| 27. |
A. N. Georgobiani, M. V. Glushkov, A. A. Kamarzin, E. S. Logozinskaya, Yu. N. Malovitskiĭ, Zh. A. Pukhliĭ, V. V. Sokolov, I. M. Tiginyanu, I. A. Shcherbakov, “Investigation of some photoelectric and luminescence properties of <i>γ</i> -La<sub>2</sub>S<sub>3</sub> single crystals”, Kvantovaya Elektronika, 9:7 (1982), 1515–1517 [Sov J Quantum Electron, 12:7 (1982), 972–974 ] |
8
|
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: