Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Novikov, S V
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 34
Scientific articles: 34

Number of views:
This page:103
Abstract pages:1895
Full texts:913
References:72
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person77215
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2013
1. L. Ts. Adzhemyan, M. V. Kompaniets, S. V. Novikov, V. K. Sazonov, “Representation of the $\beta$-function and anomalous dimensions by nonsingular integrals: Proof of the main relation”, TMF, 175:3 (2013),  325–336  mathnet  mathscinet  zmath  elib; Theoret. and Math. Phys., 175:3 (2013), 717–726  isi  elib  scopus 10
1992
2. A. M. Kreschuk, S. V. Novikov, I. G. Savelev, “Низкотемпературная подвижность 2МЭГ и качество гетерограницы в гетероструктурах InGaAs/InP, выращенных жидкофазной эпитаксией”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:8 (1992),  1375–1382  mathnet
1991
3. L. V. Golubev, A. V. Egorov, S. V. Novikov, I. G. Savelev, V. V. Chaldyshev, R. G. Shapovalov, Yu. V. Shmartsev, “USE OF ELECTROLIQUID EPITAXY FOR THE GROWING VOLUME CRYSTALS AND SIMULTANEOUS PREPARATION OF LAYERS ON SEVERAL SUBSTRATES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 61:3 (1991),  74–79  mathnet
4. V. V. Vorob'eva, O. V. Zushinskaya, V. Lebedev, LeTuan, S. V. Novikov, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, Yu. V. Shmartsev, “Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:10 (1991),  1758–1764  mathnet
5. V. N. Denisov, B. N. Mavrin, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1472–1475  mathnet
6. K. K. Alvares, S. V. Novikov, N. S. Sokolov, N. L. Yakovlev, “TENSE LAYERS AND CAF2-SRF2 SUPERLATTICES ON SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:21 (1991),  28–32  mathnet
1990
7. Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, S. V. Novikov, D. N. Shelkovnikov, “Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью — висмутом и акцепторной примесью — цинком”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2217–2219  mathnet
8. A. M. Kreschuk, E. P. Laurs, S. V. Novikov, I. G. Savelev, E. M. Semashko, M. A. Stovpovoi, A. Ya. Shik, “Инвертированная гетероструктура InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As для полевого транзистора”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1145–1147  mathnet
9. V. V. Vorob'eva, A. M. Kreschuk, T. L. Makarova, S. V. Novikov, K. Yu. Pogrebickii, I. G. Savelev, “Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в гетероструктурах с 2МЭГ”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1026–1030  mathnet
10. N. A. Bert, V. V. Vorob'eva, M. V. Vorontsova, A. M. Kreschuk, S. V. Novikov, K. Yu. Pogrebickii, I. G. Savelev, D. Zh. Saifidinov, I. P. Soshnikov, A. Ya. Shik, “Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990),  653–659  mathnet
11. A. A. Aristarkhova, Yu. F. Birulin, S. S. Volkov, S. V. Novikov, M. Y. Timashev, “COMPOSITION AND STOCHIOMETRY OF GAAS SURFACE OBTAINED DURING LIQUID-PHASE EPITAXY UNDER ISOVALENT ALLOYING”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:19 (1990),  59–61  mathnet
12. A. M. Kreshchuk, S. V. Novikov, I. G. Savelev, “ALINAS/INGAAS STRUCTURES WITH 2 MEGA-HERTZ, PREPARED BY THE LIQUID EPITAXY METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:5 (1990),  50–53  mathnet
1989
13. Ya. G. Kop'ev, S. V. Novikov, N. S. Sokolov, N. L. Yakovlev, “Molecular beam epitaxy and determination of elastic deformation in $\mathrm{CaF}_{2}$ and $\mathrm{SrF}_{2}$ layers on $\mathrm{GaAs}$ $(111)$ by photoluminescence”, Fizika Tverdogo Tela, 31:11 (1989),  214–219  mathnet
14. N. S. Sokolov, E. Vikhil', S. V. Gastev, S. V. Novikov, N. L. Yakovlev, “Photoluminescence study of elastic strain in epitaxial layers of $\mathrm{CaF}_{2}/\mathrm{Si}(111)$”, Fizika Tverdogo Tela, 31:2 (1989),  75–79  mathnet
15. V. V. Vorob'eva, O. V. Zushinskaya, S. V. Novikov, I. G. Savelev, V. V. Chaldyshev, “DOUBLE ISOVALENT ALLOYING OF GALLIUM-ARSENIDE BY BISMUTH AND INDIUM”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:8 (1989),  164–167  mathnet
16. V. V. Vorob'eva, M. V. Egorova, A. M. Kreschuk, S. V. Novikov, I. G. Savelev, “Легирование слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As самарием”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1699–1701  mathnet
17. V. V. Vorob'eva, M. V. Egorova, A. M. Kreshchuk, S. V. Novikov, I. G. Savelev, I. I. Saidashev, “TWO-DIMENSIONAL ELECTRONIC GAS STRUCTURES IN THE INP/INGAAS SYSTEM OBTAINED BY THE LPE (LIQUID PHASE EPITAXY) TECHNIQUE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:11 (1989),  73–77  mathnet
1988
18. L. V. Golubev, A. M. Kreschuk, S. V. Novikov, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, I. I. Saidashev, “Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  1948–1954  mathnet
19. V. M. Amusya, Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, L. V. Golubev, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  342–344  mathnet
20. A. A. Aristarkhova, Yu. F. Birulin, S. S. Volkov, S. V. Novikov, M. Y. Timashev, Yu. V. Shmartsev, “FEATURES OF THE SURFACE OF GALLIUM-ARSENIDE, GROWN FROM BISMUTH SOLUTION-FUSION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:19 (1988),  1794–1799  mathnet
1987
21. Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, V. G. Golubev, L. V. Golubev, V. I. Ivanov-Omskii, S. V. Novikov, A. V. Osutin, I. G. Savelev, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, O. V. Yaroshevich, “Mechanism of «Purification» of Gallium Arsenide by Bismuth”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2201–2209  mathnet
22. Yu. F. Birulin, L. V. Golubev, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Effect of Isovalent Bismuth Doping on Shallow-Acceptor Concentration in Gallium Arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  949–952  mathnet
23. S. V. Novikov, N. S. Sokolov, N. L. Yakovlev, “Oscillations of intensity of fast electron-diffraction on the reflaction under the molecular-ray epitaxy of $Ca\,F_2/Si$ (111)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:23 (1987),  1442–1446  mathnet
24. Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, L. V. Golubev, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Photoluminescence of germanium-alloyed and bismuth-alloyed $Ga\,As$”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:20 (1987),  1264–1267  mathnet
25. S. V. Gastev, S. V. Novikov, N. S. Sokolov, N. L. Yakovlev, “Molecular-beam epitaxy of $Ca\,F_2$ layers on $Si$ (III) and the measurement of its deformation based on spectra of an impure surface”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:16 (1987),  961–966  mathnet
26. Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, L. V. Golubev, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, T. V. Cherneva, Yu. V. Shmartsev, “Solid-solution in the indium phosphide–indium antimonide system”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:3 (1987),  188–191  mathnet
1985
27. L. V. Golubev, O. V. Zelenova, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “Equilibrium electro-liquid $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}/Ga\,Sb$ epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  230–233  mathnet
28. V. V. Vorob'eva, L. V. Golubev, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “Electro-liquid epitaxy of the 4-component $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$ solid-solution”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  224–226  mathnet
1984
29. L. V. Golubev, O. V. Zelenova, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “ELECTRO-LIQUID EPITAXY OF INAS1-XSBX SOLID-SOLUTIONS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:11 (1984),  2233–2237  mathnet
30. K. M. Gambaryan, V. A. Gevorkyan, L. V. Golubev, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “ANALYSIS OF ADMIXTURE DISTRIBUTION UNDER EQUILIBRIUM ELECTRIC-LIQUID EPITAXY”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:10 (1984),  2011–2015  mathnet
31. Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, L. V. Golubev, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “STRUCTURE CONTROL IN THE ELECTROLIQUID EPITAXY METHOD”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:7 (1984),  1394–1399  mathnet
1983
32. L. V. Golubev, S. G. Koronnyi, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “Электрожидкостная эпитаксия InAs”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:16 (1983),  961–964  mathnet
33. L. V. Golubev, S. V. Novikov, S. N. Savelyeva, Yu. V. Shmartsev, “Определение некоторых параметров раствора–расплава в электрожидкостной эпитаксии”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:11 (1983),  662–666  mathnet
34. Yu. F. Birulin, L. V. Golubev, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:3 (1983),  155–158  mathnet

Organisations
  • Google Switzerland GmbH
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024