|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1990 |
| 1. |
V. D. Akhmetov, V. V. Bolotov, G. N. Kamaev, L. S. Smirnov, “Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния
при облучении электронами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 72–76  |
|
1988 |
| 2. |
V. V. Bolotov, G. N. Kamaev, L. S. Smirnov, “ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора
с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 210–214 |
|
1987 |
| 3. |
I. V. Antonova, A. V. Vasil'ev, V. I. Panov, S. A. Smagulova, L. S. Smirnov, S. S. Shaimeev, “Capacity-Spectroscopy Study of Magnesium-Doped $n$-Type Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987), 684–687 |
| 4. |
L. I. Fedina, A. L. Aseev, S. G. Denisenko, L. S. Smirnov, “Threshold Energy of Point-Defect Formation in Silicon Using Electron-Microscopic Data”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987), 592–597 |
|
1986 |
| 5. |
A. V. Tsvyashchenko, R. A. Alikhanov, L. S. Smirnov, V. I. Buzin, V. E. Makhotkin, V. A. Fradkov, “Neutron diffraction study of magnetic properties of the intermetallic compound $\mathrm{YbFe}_{2}$”, Fizika Tverdogo Tela, 28:9 (1986), 2832–2834 |
| 6. |
A. I. Baranov, A. V. Vasil'ev, L. S. Smirnov, “Change of Energy-Level System in the Gap as a Factor Controlling Rate of Reactions between Charged Delects in Semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986), 1132–1134 |
| 7. |
A. V. Vasil'ev, L. S. Smirnov, S. S. Shaimeev, “On the Divacancy Levels in the Gap of Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 737–739 |
| 8. |
A. V. Vasil'ev, S. A. Smagulova, L. S. Smirnov, “Annealing of Divacancies in Silicon Irradiated by Fast Neutrons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986), 561–564 |
|
1985 |
| 9. |
A. V. Vasil'ev, M. I. Izteleuov, S. A. Smagulova, L. S. Smirnov, “On the
Parameters of Regions of Disorder
in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985), 2073–2074 |
| 10. |
N. N. Gerasimenko, B. A. Zaitsev, L. N. Safronov, L. S. Smirnov, “Radiative-Recombination Centers
in Silicon Irradiated by Beryllium
Ions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985), 1245–1250 |
| 11. |
V. M. Maksimenko, L. S. Smirnov, “Pulsed Annealing of Semiconductors. State of the Problem and Unsolved Questions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985), 569–591 |
|
1984 |
| 12. |
A. I. Baranov, A. V. Vasil'ev, N. I. Komolova, S. A. Smagulova, L. S. Smirnov, S. S. Shaimeev, “Количественные оценки параметров образования основных радиационных
дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984), 2177–2181 |
|
1983 |
| 13. |
A. L. Aseev, V. M. Ivakhnishin, V. F. Stas', L. S. Smirnov, “Germanium structure defects at $\mathrm{He}$ and $\mathrm{H}$ irradiation”, Fizika Tverdogo Tela, 25:10 (1983), 3097–3103 |
| 14. |
A. I. Ashin, L. S. Smirnov, V. F. Stas, “Исследование радиационных дефектов в германии методом емкостной
спектроскопии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983), 1535–1537 |
| 15. |
V. F. Stas, A. I. Ashin, L. S. Smirnov, “Эффекты радиационно-ускоренной диффузии в германии, облученном ионами
гелия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983), 859–862 |
| 16. |
A. I. Ashin, L. S. Smirnov, V. F. Stas, “Энергетичекий спектр дефектов в кремнии, облученном ионами водорода
и гелия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983), 551–553 |
|
1957 |
| 17. |
V. S. Vavilov, L. S. Smirnov, V. M. Patskevich, “Energy of ionization by electrons in germanium crystals”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 112:6 (1957), 1020–1022 |
|
|
|
2000 |
| 18. |
N. G. Basov, V. L. Ginzburg, A. A. Gippius, V. S. Dneprovskii, L. V. Keldysh, Yu. V. Kopaev, V. V. Krasnopevtsev, O. N. Krokhin, V. P. Silin, L. S. Smirnov, E. L. Feinberg, A. P. Shotov, “In memory of Viktor Sergeevich Vavilov”, UFN, 170:2 (2000), 203–204 ; Phys. Usp., 43:2 (2000), 193–194  |
1
|
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: