|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1989 |
1. |
A. S. Bruk, A. V. Govorkov, M. G. Mil'vidskii, T. A. Nuller, A. A. Shlenskii, T. G. Yugova, “Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных
слоев GaAs, легированных Sn или Te”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989), 456–460 |
|
1988 |
2. |
A. S. Bruk, A. V. Govorkov, M. G. Mil'vidskii, E. V. Popova, A. A. Shlenskii, “Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев
в эпитаксиальных структурах арсенида галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988), 1792–1795 |
3. |
È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, A. V. Govorkov, O. M. Borodina, A. S. Bruk, “Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении
атомарного водорода в GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988), 1203–1207 |
|
1987 |
4. |
A. V. Govorkov, È. M. Omel'yanovskii, A. Ya. Polyakov, V. I. Raihshtein, V. A. Fridman, “New method for investigation of microheterogeneity of local centers in high-ohmic semiconductor-materials using the REM”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:7 (1987), 385–388 |
|
1986 |
5. |
A. S. Bruk, A. V. Govorkov, M. G. Mil'vidskii, E. V. Popova, A. A. Shlenskii, “Effect of Thermal Treatment on Luminescent anf Electro physical Parameters of Near-to-SurfaceLayers of Gallium-Arsenide Monocrystalline Plates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986), 1588–1593 |
|
1982 |
6. |
A. V. Govorkov, “Parastatistics and gauge symmetries”, TMF, 53:2 (1982), 283–295 ; Theoret. and Math. Phys., 53:2 (1982), 1127–1135 |
3
|
|
|
|