|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
I. I. Kolkovskii, V. F. Latyshenko, P. F. Lugakov, V. V. Shusha, “Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными
типами ростовых микродефектов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992), 176–180  |
|
1989 |
| 2. |
I. I. Kolkovskii, P. F. Lugakov, V. V. Shusha, “Особенности образования рекомбинационных центров
при облучении бездислокационного $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989), 885–887 |
|
1987 |
| 3. |
I. I. Kolkovskii, V. V. Shusha, “Characteristic Properties of the Annealing of Recombination Centers in Neutron-Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987), 1974–1977 |
|
1986 |
| 4. |
I. I. Kolkovskii, P. F. Lugakov, V. V. Shusha, “Recombination Properties of Radiation-Induced Defects in Transniutationally Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 964–967 |
|
| Organisations |
|
|
Contact us: