|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1991 |
| 1. |
M. M. Anikin, A. S. Zubrilov, A. A. Lebedev, A. P. Strelchuk, A. E. Cherenkov, “Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах
и влияние на них глубоких центров”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 479–486  |
| 2. |
M. M. Anikin, A. N. Andreev, A. A. Lebedev, S. N. Pyatko, M. G. Rastegaeva, N. S. Savkina, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991), 328–333 |
|
1990 |
| 3. |
M. M. Anikin, N. I. Kuznetsov, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, “Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990), 1384–1390 |
|
1989 |
| 4. |
M. M. Anikin, V. V. Evstropov, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, “Разновидность неклассического термоинжекционного тока
в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989), 1813–1818 |
| 5. |
M. M. Anikin, V. V. Evstropov, I. V. Popov, V. N. Rastegaev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, “Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых
$p{-}n$-структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 647–651 |
| 6. |
M. M. Anikin, P. A. Ivanov, A. L. Sirkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “SIC-6H FIELD TRANSISTOR WITH RECORD TRANSCONDUCTANCE FOR CARBIDE-SILICON
TRANSISTORS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:16 (1989), 36–42 |
|
1988 |
| 7. |
M. M. Anikin, M. E. Levinshteĭn, I. V. Popov, V. P. Rastegaev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, “Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя
в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988), 1574–1579 |
| 8. |
M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, V. P. Rastegaev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, Yu. M. Tairov, V. F. Cvetkov, V. E. Chelnokov, “Электрические характеристики эпитаксиальных
$p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 298–300 |
| 9. |
M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, S. N. Pyatko, V. P. Rastegaev, A. L. Syrkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким
$p{-}n$-переходом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 133–136 |
| 10. |
M. M. Anikin, S. N. Vainshtein, M. E. Levinshteĭn, A. M. Strelchuk, A. L. Sirkin, “NEGATIVE TEMPERATURE-COEFFICIENT OF BREAKDOWN PRESSURE IN
SILICON-CARBIDE R-P TRANSITIONS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:6 (1988), 545–547 |
|
1986 |
| 11. |
M. M. Anikin, A. A. Lebedev, A. A. Lebedev, A. L. Syrkin, A. V. Suvorov, “Capacity Spectroscopy of p${-}$n Junctions Based on Epitaxial $4H$-SiC Produced by Ionic Implantation of Al”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986), 2169–2172 |
| 12. |
M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. V. Suvorov, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Structures with Ionically Implanted p${-}$n Junction Based on Epitaxial $4H$-SiC with $S$-Like Current–Voltage Characteristic”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986), 1654–1657 |
| 13. |
M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. V. Suvorov, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Study of Current-Voltage Characteristics of Diode Structures Based on Silicon Carbide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 844–848 |
|
1985 |
| 14. |
M. M. Anikin, A. A. Lebedev, A. L. Syrkin, A. V. Suvorov, “Capacity-Spectroscopic Study of Deep Levels in SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985), 114–117 |
|
1984 |
| 15. |
M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, V. E. Sevastyanov, A. L. Sirkin, A. L. Suvorov, V. E. Chelnokov, G. P. Spynev, “RECTIFIER DIODE BASED ON SILICON-CARBIDE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:17 (1984), 1053–1056 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: