|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1990 |
| 1. |
L. S. Berman, N. A. Vitovskiy, V. N. Lomasov, V. N. Tkachenko, “О природе $K$-центра в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990), 2186–2190  |
| 2. |
L. S. Berman, N. A. Vitovskiy, V. N. Lomasov, V. N. Tkachenko, “Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его
зависимость от температуры”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1816–1822 |
| 3. |
L. S. Berman, N. A. Vitovskiy, V. B. Voronkov, V. N. Lomasov, V. N. Tkachenko, “Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных
дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога
дефектообразования”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990), 1213–1215 |
|
1989 |
| 4. |
V. V. Mikhnovich, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, N. A. Vitovskiy, “Dependence of the efficiency of homogeneous Frenkel pair annihilation in crystals on irradiation intensity”, Fizika Tverdogo Tela, 31:3 (1989), 306–308 |
| 5. |
R. F. Vitman, N. A. Vitovskiy, A. A. Lebedev, T. V. Mashovets, L. V. Nalbandyan, “Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989), 2066–2069 |
| 6. |
V. A. Artem'ev, N. A. Vitovskiy, V. V. Mikhnovich, “Скопление точечных дефектов и их влияние на рассеяние носителей
заряда в полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989), 1395–1399 |
| 7. |
N. A. Vitovskiy, T. V. Mashovets, L. V. Nalbandyan, “Скопления атомов меди в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989), 911–914 |
| 8. |
L. S. Berman, N. A. Vitovskiy, V. B. Voronkov, V. N. Lomasov, A. D. Remeshok, V. N. Tkachenko, M. G. Tolstobrov, “Скорость введения и профиль концентрации $A$-центров в $n$-кремнии,
облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 753–756 |
| 9. |
N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, D. S. Poloskin, “Эффективность образования точечных дефектов
в $n$- и $p$-Ge в условиях
облучения при 77 и 300 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989), 425–428 |
| 10. |
N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, “Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на
энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 184–185 |
|
1988 |
| 11. |
N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы
в $n$-германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988), 1483–1486 |
| 12. |
N. A. Vitovskiy, L. V. Nalbandyan, D. S. Poloskin, “Приповерхностные слои с квазиметаллической проводимостью в германии,
подвергнутом гамма-облучению при 4.2 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988), 1316–1318 |
| 13. |
V. V. Emtsev, A. V. Dabagyan, N. A. Vitovskiy, T. V. Mashovets, “Основные характеристики пары Френкеля в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988), 924–926 |
|
1987 |
| 14. |
N. A. Vitovskiy, A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Lifetime of Free Vacancies and Eigen Interstitial Atoms in n-Type Germanium under Electron and Gamma Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987), 1826–1831 |
| 15. |
V. V. Emtsev, N. A. Vitovskiy, T. V. Mashovets, “Energy Spectrum and Processes of Migration of Frenkel-Pair Components in Germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987), 145–149 |
|
1986 |
| 16. |
N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Ionization-Induced Annealing of Frenkel Pairs in Germanium and Silicon under Electron and Gamma Irradiation at Helium Temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 840–843 |
|
1985 |
| 17. |
N. A. Vitovskiy, A. A. Vereninov, D. S. Poloskin, “Kinetics of the Variation of Frenkel-Pair Concentration
in Semiconductor under Low-Temperature Irradiation and Ionization
Annealing”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985), 1263–1268 |
|
1984 |
| 18. |
N. A. Vitovskiy, T. S. Lagunova, O. Rakhimov, “Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфиде индия $n$-типа
со скоплениями акцепторов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984), 1624–1628 |
| 19. |
N. A. Vitovskiy, T. S. Lagunova, T. V. Mashovets, O. Rakhimov, “Пространственное распределение электрически активных центров
в $n$-арсениде галлия и его изменения при гамма-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984), 1593–1596 |
| 20. |
N. A. Vitovskiy, O. V. Emel'yanenko, T. S. Lagunova, T. V. Mashovets, O. Rakhimov, “INCREASED ACCUMULATIONS OF COMPENSATING CENTERS IN SEMICONDUCTORS BY
GAMMA-RAYS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:14 (1984), 860–862 |
|
1983 |
| 21. |
N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “О распределении пар Френкеля, возникающих в германии
при облучении, по расстояниям между их компонентами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983), 1985–1990 |
| 22. |
N. T. Bagraev, N. A. Vitovskiy, L. S. Vlasenko, T. V. Mashovets, O. Rakhimov, “Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии,
выращенном по методу Чохральского”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983), 1979–1984 |
| 23. |
T. V. Mashovets, N. A. Vitovskiy, “Проявление примесного ионизационного механизма (ПИМ) образования
дефектов в антимониде индия при «надпороговом» облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983), 521–523 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: