|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Влияние предварительной термообработки на эффективность образования
радиационных дефектов в бездислокационном кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:8 (1992), 1509–1511  |
|
1990 |
| 2. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1721–1725 |
|
1986 |
| 3. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, V. V. Shusha, “Characteristic Properties of Radiation-Defect Accumulation in $p$-Type High-Resistance Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986), 1894–1897 |
| 4. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Processes of Complex Formation in Silicon under Irradiation-Temperature Variation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 742–744 |
|
1985 |
| 5. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, Yu. M. Pokotilo, “Nature and Parameters
of Impurity-Defective Aggregates
in Neutron-Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985), 2014–2017 |
|
1984 |
| 6. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Effect of Radiation Intensity on the Rate of annihilation of Vacancies and Interstitials in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984), 345–347 |
|
1983 |
| 7. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Природа дефектов и особенности их образования при облучении
нейтронно-легированного кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983), 1601–1603 |
| 8. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Взаимодействие дефектов вакансионного и междоузельного типов при
отжиге облученного $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983), 166–168 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: