|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
O. K. Gorodnichenko, V. F. Kovalenko, A. V. Prokhorovich, “High-temperature plastic deformation and luminescence properties of $\mathrm{GaAs}$”, Fizika Tverdogo Tela, 34:5 (1992), 1390–1394  |
| 2. |
O. K. Gorodnichenko, V. F. Kovalenko, A. V. Prokhorovich, “Деформационно-стимулированное изменение концентрации излучающих
центров в арсениде галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:4 (1992), 759–761 |
|
1991 |
| 3. |
E. V. Vinnik, K. D. Glinchuk, V. I. Guroshev, A. V. Prokhorovich, “Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида
галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991), 82–87 |
|
1990 |
| 4. |
E. V. Vinnik, K. D. Glinchuk, V. I. Guroshev, A. V. Prokhorovich, “Понижение термической стабильности
комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ в GaAs при нейтронном облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990), 1363–1366 |
|
1989 |
| 5. |
K. D. Glinchuk, N. S. Zayats, A. V. Prokhorovich, “Влияние облучения протонами на люминесценцию арсенида галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 657–661 |
|
1987 |
| 6. |
K. D. Glinchuk, V. I. Guroshev, A. V. Prokhorovich, “${h\nu_{m}\simeq 1.2}$ eV Luminescence Band in $p$-Type GaAs Stimulated by Radiationally-Thermal Effect”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987), 1659–1663 |
|
1986 |
| 7. |
K. D. Glinchuk, V. I. Guroshev, A. V. Prokhorovich, “Effect of Fast-Electron Irradiation on the Luminescence of $p$-Type GaAs (Si) Heavily Doped and Compensated Layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986), 1874–1877 |
| 8. |
K. D. Glinchuk, V. I. Guroshev, A. V. Prokhorovich, “Interaction of Radiation-Induced Defects with Chromium Atoms in Gallium Arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986), 567–569 |
|
1985 |
| 9. |
K. D. Glinchuk, V. I. Guroshev, A. V. Prokhorovich, “Variation of Maximum Position and Half width of Luminescence Band due to Radiative
Recombination in $V_{\text{Ga}}$Te$_{\text{As}}$ Complexes under Electron Irradiation
of GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985), 1326–1328 |
| 10. |
K. D. Glinchuk, V. I. Guroshev, A. V. Prokhorovich, “Increase of Concentration of Luminescence-Quenching
Centers under the Annealing of Electron-Irradiated Gallium-Arsenide Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985), 1163–1164 |
|
1984 |
| 11. |
K. D. Glinchuk, N. S. Zayats, A. V. Prokhorovich, “Decrease of Thermal Stability of $V_{\text{As}}\text{Zn}_{\text{Ga}}$ in GaAs under Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:4 (1984), 736–739 |
|
1983 |
| 12. |
K. D. Glinchuk, N. S. Zayats, A. V. Prokhorovich, “Изменение внутренней квантовой эффективности излучения,
обусловленного глубокими центрами люминесценции, при отжиге облученных
электронами кристаллов GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983), 751–753 |
| 13. |
K. D. Glinchuk, N. S. Zayats, A. V. Prokhorovich, “Изменение рекомбинационных свойств глубоких центров люминесценции при
отжиге облученных кристаллов GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983), 164–166 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: