|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1986 |
| 1. |
V. V. Monakhov, A. M. Yafyasov, O. V. Romanov, “Determination of State Densities in Allowed Bands of Indium Antimonide and Lead Sulphide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 954–957  |
| 2. |
V. V. Monakhov, O. V. Romanov, S. N. Kirillov, V. Ya. Uritsky, V. A. Smirnov, “Stages of Formation of Silicon-Thermal Oxide Interface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986), 477–480 |
|
1984 |
| 3. |
O. V. Romanov, V. B. Bozhevolnov, “Комплексный эффект поля на поверхности твердых растворов
группы GaP$_{x}$As$_{1-x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1408–1412 |
| 4. |
O. V. Romanov, V. B. Bozhevol'nov, Yu. N. Myasoedov, “Effect of a Field
on the Surfaces of HgTe Semimetal
and Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te Semiconductor”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984), 1064–1068 |
| 5. |
V. Ya. Uritsky, O. V. Romanov, A. M. Yafyasov, “Characteristics of Si$-$SiO$_2$ Interface and Surface Hole Mobility in the Inversion Layer”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984), 393–397 |
|
1983 |
| 6. |
M. V. Kapitonov, O. V. Romanov, A. M. Yafyasov, “Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов
на полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983), 818–823 |
| 7. |
O. V. Romanov, “Граница раздела сверхтонкий собственный окисел–полупроводник”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983), 398–401 |
| 8. |
S. G. Sazonov, O. V. Romanov, “МДП-диоды на основе InSb и InAs с $N$-образной ВАХ в области
инверсионных напряжений”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:20 (1983), 1247–1250 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: