|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1991 |
| 1. |
O. V. Vakulenko, V. N. Suprunenko, V. D. Ryzhikov, “Температурная зависимость интенсивности примесной люминесценции
в полупроводниках с амфотерными центрами рекомбинации”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991), 1053–1057  |
|
1988 |
| 2. |
O. V. Vakulenko, V. S. Lysyi, “Electron-spin-resonance manifestation of two nonequivalent crystallographic sites of the nitrogen impurity with a cubic environment in $6H$ silicon carbide”, Fizika Tverdogo Tela, 30:8 (1988), 2514–2515 |
| 3. |
O. V. Vakulenko, A. N. Veretennikov, V. D. Ryzhikov, V. V. Chepelev, “CHARACTERISTICS OF KINETICS OF ZNSE-TE X-RAY LUMINESCENCE AT
HIGH-EXCITATION LEVELS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:3 (1988), 632–635 |
|
1986 |
| 4. |
O. V. Vakulenko, B. M. Shutov, “On the Absorption due to Divacancies in SiC-6$H$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 368–369 |
|
1984 |
| 5. |
O. V. Vakulenko, V. A. Skryshevsky, “On the Internal Quantum Yield of Impurity Photoconduction in Semi-Insulating Gallium Arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984), 172–174 |
|
1983 |
| 6. |
O. V. Vakulenko, V. A. Skryshevsky, V. V. Teslenko, “Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983), 1446–1449 |
| 7. |
O. V. Vakulenko, A. S. Dranenko, N. N. Novikov, “Инжекционные токи в трикристалле арсенида галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983), 1185–1188 |
| 8. |
O. V. Vakulenko, A. I. Mikolenko, N. N. Novikov, V. A. Skryshevsky, “Фотоэлектрические свойства арсенида галлия с дислокационными
границами зерен”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983), 881–884 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: