|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
V. E. Kustov, A. B. Roitsin, N. A. Tripachko, V. I. Shakhovtsov, “Центры дилатации в облученном электронами кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992), 1928–1931  |
|
1991 |
| 2. |
V. B. Neimash, T. R. Sagan, V. M. Tsmots, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, V. S. Shtym, “Магнитное упорядочение кислородосодержащих термодоноров в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991), 1864–1869 |
| 3. |
V. B. Neimash, T. R. Sagan, V. M. Tsmots, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, “О некоторых механизмах влияния тепловой предыстории на поведение
параметров кремния под облучением”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991), 1857–1863 |
|
1990 |
| 4. |
V. M. Siratskii, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, L. I. Shpinar, I. I. Yaskovets, “Электронные свойства бистабильных дефектов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1795–1799 |
| 5. |
T. V. Kritskaya, L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. I. Yashnik, “Особенности спектров ИК поглощения термодоноров
в кристаллах Si : Ge”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990), 1129–1132 |
| 6. |
A. V. Marinchenko, L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. I. Yashnik, “Структура полос поглощения термодонорных центров в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990), 1126–1129 |
| 7. |
L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. K. Shinkarenko, F. M. Vorobkalo, “Структура ИК поглощения кислорода в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990), 1051–1055 |
| 8. |
Yu. V. Pomozov, L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. I. Yashnik, “Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si : Ge, облученных
нейтронами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990), 993–996 |
| 9. |
V. V. Emtsev, Y. N. Daluda, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, V. B. Neimash, R. S. Antonenko, K. Shmalts, “Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии
при «горячем» $\gamma$-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990), 374–376 |
|
1989 |
| 10. |
V. I. Shakhovtsov, I. I. Yaskovets, “Эффективность аннигиляции компонентов пар Френкеля на атомах
кислорода в Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989), 914–916 |
| 11. |
A. M. Grekhov, V. E. Kustov, N. A. Tripachko, V. I. Shakhovtsov, “Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 746–748 |
| 12. |
L. V. Muzrukhin, L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. K. Shinkarenko, V. I. Yashnik, “Упругие напряжения в Si с электрически пассивными примесями”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 704–706 |
| 13. |
V. B. Neimash, V. M. Siratskii, M. G. Sosnin, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, “Влияние термодоноров на радиационное дефектообразование в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989), 250–252 |
| 14. |
V. I. Shakhovtsov, S. I. Shakhovtsova, M. M. Shvarts, L. I. Shpinar, I. I. Yaskovets, “Подвижность носителей тока в твердых растворах
Ge$_{1-x}$Si$_{x}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 48–51 |
|
1988 |
| 15. |
A. N. Kraichinskii, L. V. Mizrukhin, N. I. Ostashko, V. I. Shakhovtsov, “LIFETIME OF PRIMARY RADIATION DEFECTS IN SILICON”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:6 (1988), 1180–1181 |
| 16. |
V. E. Kustov, N. A. Tripachko, S. A. Chesnokov, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, “Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988), 2220–2223 |
| 17. |
Yu. M. Dobrovinskii, M. G. Sosnin, V. M. Tsmots, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, “Влияние примеси олова на накопление радиационных дефектов в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1149–1151 |
| 18. |
V. E. Kustov, T. V. Kritskaya, N. A. Tripachko, V. I. Shakhovtsov, “Влияние германия на внутренние упругие напряжения
в кислородосодержащем кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 313–315 |
| 19. |
A. M. Grekhov, V. I. Shakhovtsov, “Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных
примесей в кремнии.
Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge
в Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 285–288 |
| 20. |
A. N. Kraichinskii, L. V. Muzrukhin, N. I. Ostashko, V. I. Shakhovtsov, “Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в $n$-Si
при облучении одиночными импульсами электронов
большой интенсивности”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 215–218 |
| 21. |
V. B. Neimash, M. G. Sosnin, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, I. I. Yaskovets, “Рекомбинация в $n$-Si при термообработке и облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 206–209 |
| 22. |
A. N. Kraichinskii, L. V. Mizrukhin, I. S. Rogutskii, V. I. Shakhovtsov, “ANNEALING OF FRENKEL METASTABLE PAIRS IN PARA-GE, IRRADIATED BY
ELECTRONS WITH ENERGY OF 0.6-MEV AND 1.2-MEV”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:24 (1988), 2299–2302 |
|
1987 |
| 23. |
A. A. Bugai, I. N. Kravtsova, V. M. Maksimenko, B. D. Shanina, V. I. Shakhovtsov, “Effect of germanium on the properties of the $\mathrm{Si}$–$S1$-center in $\mathrm{Si}_{1-x}\mathrm{Ge}_{x}$ solid solutions”, Fizika Tverdogo Tela, 29:7 (1987), 2217–2220 |
| 24. |
F. A. Zaitov, Yu. M. Dobrovinskii, V. B. Neimash, V. M. Tsmots, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, “Recombination in Si after Thermal Treatment and $\gamma$-Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987), 2082–2084 |
| 25. |
A. M. Grekhov, V. M. Gunko, V. I. Shakhovtsov, “Study of Electronic Structure of Isoelectronic Impurities in Silicon. C, Ge Atoms and Their Complexes with Vacancies”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987), 1837–1841 |
| 26. |
I. G. Atabaev, M. S. Saidov, L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. K. Shinkarenko, L. I. Shpinar, A. Yusupov, “On the Mechanism of Defect Formation in Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ Alloys under Electron Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987), 570–573 |
| 27. |
L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. K. Shinkarenko, L. I. Shpinar, I. I. Yaskovets, “Characteristic Properties of Radiation-Induced Defect Formation in Crystals Si$\langle$Ge$\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987), 562–565 |
|
1986 |
| 28. |
L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. K. Shinkarenko, “Study of vibrational Spectra of Oxygen Absorption in Si$\langle$Ge$\rangle$ Solid Solutions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986), 2222–2225 |
| 29. |
G. P. Gaidar, A. A. Girii, V. N. Ermakov, V. I. Shakhovtsov, “Effect of Thermal Annealing and $\gamma$-Irradiation on Resistivity Variation of $n$-Туре Germanium in a Magnetic Field”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986), 2109–2111 |
| 30. |
A. A. Bugai, V. A. Girii, V. M. Maksimenko, Yu. V. Pomozov, V. I. Shakhovtsov, “Effect of Hardening on the Properties of Shallow Donors in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986), 1884–1886 |
| 31. |
L. V. Muzrukhin, M. G. Mil'vidskii, L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. K. Shinkarenko, N. I. Gorbacheva, “Broadening of the Bands of Hydrogen-Like Center Absorption in Silicon with Isovalent Impurities”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986), 1647–1653 |
| 32. |
G. P. Gaidar, V. A. Giriy, V. N. Ermakov, V. I. Shakhovtsov, “Determination of $\Theta_{u}$ Deformation-Potential Shift Constant in Transmutationally Doped Silicon Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986), 1107–1109 |
| 33. |
V. E. Kustov, M. G. Mil'vidskii, Yu. G. Semenov, B. M. Turovsky, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, “Deformation Charges of Isovalent Impurities in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 270–274 |
|
1985 |
| 34. |
A. A. Bugai, V. E. Kustov, Yu. G. Semenov, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, “Electron-paramagnetic-res of tensoprobe in silicon doped with $\mathrm{Gd}$”, Fizika Tverdogo Tela, 27:6 (1985), 1824–1829 |
| 35. |
V. I. Shakhovtsov, I. M. Vikulin, M. A. Glauberman, N. A. Kanitsheva, V. V. Kozel, V. A. Prokhorov, “RADIATION STABILITY OF SILICA MAGNETO-SENSITIVE TRANSISTORS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:6 (1985), 1247–1248 |
| 36. |
A. N. Kraichinskii, L. V. Muzrukhin, N. I. Ostashko, V. I. Shakhovtsov, “Efficiency of Defect Formation in
$n$-Type Si under 1 MeV-Electron
Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:12 (1985), 2202–2204 |
|
1984 |
| 37. |
A. A. Bugai, V. M. Maksimenko, E. I. Neimark, B. D. Shanina, V. G. Grachev, V. I. Shakhovtsov, “Electron-paramagnetic-res and spin-lattice relaxation study of donor muffin-tin potential local distortions in $\mathrm{Si}_{1-x}\mathrm{Ge}_{x}$ alloy”, Fizika Tverdogo Tela, 26:11 (1984), 3338–3346 |
| 38. |
A. A. Bugai, V. M. Maksimenko, B. M. Turovsky, L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. K. Shinkarenko, N. I. Gorbacheva, “Исследование радиационных дефектов в сплаве Si$-$Ge методом ЭПР и ИК
спектроскопии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984), 2020–2023 |
|
1983 |
| 39. |
F. A. Zaitov, V. M. Tsmots, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, V. S. Shtym, M. I. Shubak, “Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983), 1490–1492 |
| 40. |
O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, V. G. Litovchenko, N. N. Soldatenko, Yu. A. Tkhorik, M. Y. Filatov, V. I. Shakhovtsov, “Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов
в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983), 1349–1351 |
| 41. |
A. N. Kraichinskii, L. V. Muzrukhin, V. I. Shakhovtsov, “Распределение пар Френкеля по расстояниям в облученных кремнии
и германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983), 437–440 |
|
|
|
1986 |
| 42. |
D. F. Baisa, V. G. Bar'yakhtar, M. S. Brodin, G. V. Klimusheva, M. V. Kurik, B. G. Lazarev, M. S. Soskin, V. I. Shakhovtsov, M. T. Shpak, “Antonina Fedorovna Prikhot'ko (On her eightieth birthday)”, UFN, 149:4 (1986), 733–734 ; Phys. Usp., 29:8 (1986), 803–804 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: