Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Baransky, P I
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 36
Scientific articles: 36

Number of views:
This page:87
Abstract pages:1663
Full texts:810

https://www.mathnet.ru/eng/person161231
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2017
1. G. P. Gaidar, P. I. Baransky, “Tensoresistance of $n$-Ge with different crystallographic orientations in the presence of a classically high magnetic field and without it”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:7 (2017),  975–980  mathnet  elib; Semiconductors, 51:7 (2017), 936–941
2016
2. G. P. Gaidar, P. I. Baransky, “Specific features of the electrophysical parameters of NTD Si treated under different conditions of heat treatment”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:6 (2016),  751–756  mathnet  elib; Semiconductors, 50:6 (2016), 735–740 1
1991
3. P. I. Baransky, A. E. Belyayev, I. N. Gorbatyuk, S. M. Komirenko, I. M. Rarenko, N. V. Shevchenko, “Рекомбинация в Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te ($x\cong 0.28{-}0.35$, $y\cong 0.01{-}0.02$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:7 (1991),  1183–1187  mathnet
1990
4. P. I. Baransky, A. E. Belyaev, S. M. Komirenko, N. V. Shevchenko, “Mechanism of carrier mobility variation under ultrasonic treatment of semiconducting solid solutions”, Fizika Tverdogo Tela, 32:7 (1990),  2159–2161  mathnet
5. P. I. Baransky, A. E. Belyayev, O. A. Bodnaruk, I. N. Gorbatyuk, S. M. Komirenko, I. M. Rarenko, N. V. Shevchenko, “Явления переноса и рекомбинация в твердых растворах Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\sim 0.1$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1490–1493  mathnet
6. P. I. Baransky, A. E. Belyayev, O. P. Gorodnichii, S. M. Komirenko, “Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  121–125  mathnet
1989
7. P. I. Baransky, K. A. Myslivets, Ya. M. Olikh, “Role of small small-angle boundaries in the ultrasound-induced variation of the electrophysical parameters of $\mathrm{Cd}_{x}\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ crystals”, Fizika Tverdogo Tela, 31:9 (1989),  278–281  mathnet
1988
8. P. I. Baransky, V. I. Torishnii, G. V. Chipenko, “О прыжковой проводимости в полупроводниковом алмазе”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988),  2214–2217  mathnet
9. P. I. Baransky, D. V. Sokolyuk, V. I. Torishnii, G. V. Chipenko, “Особенности рассеяния дырок в синтетических алмазах в греющих электрических полях”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  2069–2071  mathnet
10. I. S. Buda, P. I. Baransky, “Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных полупроводниках в условиях электрон-фононного увлечения”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  355–356  mathnet
11. P. I. Baransky, A. E. Belyayev, O. P. Gorodnichii, V. G. Makarenko, “Влияние иттербия на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев $n$-GaP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  158–161  mathnet
1987
12. P. I. Baransky, V. V. Kolomoets, V. N. Ermakov, P. F. Nazarchuk, “Effect of Strong Uniaxial Elastic Deformations on the Impurity-Band Conduction in $n$-Туре Ge$\langle$Sb$\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1477–1479  mathnet
13. O. G. Balev, P. I. Baransky, G. V. Beketov, R. M. Vinetskii, O. P. Gorodnichii, “Influence of Surface Conduction on Galvanomagnetic Effects in $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1021–1025  mathnet
14. I. S. Buda, P. I. Baransky, “Symmetry of Piezothermo E. M. F. Tensor for $n$-Type Germanium and Silicon Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  718–723  mathnet
15. I. S. Buda, P. I. Baransky, “Commutation Effect in Deformation Cubic Semiconductors (Even Part)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  335–337  mathnet
16. P. I. Baransky, V. G. Malogolovets, V. I. Torishnii, G. V. Chipenko, “Temperature Dependence оf Hole Mobility in a Semiconductor Synthetic Diamond”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  75–79  mathnet
1986
17. P. I. Baransky, V. Ya. Duchal, V. V. Kolomoets, V. V. Chernyš, “Mobility Anisotropy and Deformation Potentials of Germanium Valence Band under Strong Uniaxial Deformation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2112–2115  mathnet
18. P. I. Baransky, R. M. Vinetskiy, O. P. Gorodnichiy, I. N. Gorbatyuk, Ya. M. Olikh, I. M. Rarenko, “Influence of Ultrasound on Galvanomagnetic Effects in $n$-Type (Cd, Hg)Te”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1104–1106  mathnet
19. P. I. Baransky, V. V. Kolomoets, Yu. A. Okhrimenko, “Piezoresistance Related with Bending of Conduction-Band Bottom Energy Relief of $n$-Type Si Crystals Elastically Deformed in the $\langle111\rangle$ Direction”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  770–773  mathnet
20. P. I. Baransky, V. V. Savyak, Yu. V. Simonenko, “Thermoelectric Characteristics of Elastically Deformed $n$-Туре Germanium in the Range of Electron-Phonon Drag”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  356–357  mathnet
21. I. S. Buda, P. I. Baransky, V. S. Borenko, “Commutation Effect in Uniaxially Deformed $n$-Type Silicon and $n$-Type Germanium. III”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  221–226  mathnet
1985
22. P. I. Baransky, V. V. Kolomoets, Yu. A. Okhrimenko, “Mechanisms of Piezoresistance in $n$-Type Ge Heavy Doped Crystals at 4.2 К”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1898–1899  mathnet
23. I. S. Buda, P. I. Baransky, V. S. Borenko, “Nernst–Ettingshausen Tensor in Uniaxially Deformed $n$-Silicon and $n$-Germanium. II”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1774–1779  mathnet
24. P. I. Baransky, V. V. Kolomoets, Yu. A. Okhrimenko, “Piezoresistance and Hall Effect of Heavily Doped $n$-Type Si Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1768–1770  mathnet
25. P. I. Baransky, V. V. Savyak, Yu. V. Simonenko, “Effect of Thermal-Treatment Conditions on Drag Plezothermoelectromotive Force in Transmutationally Doped and Ordinary Silicon Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1712–1715  mathnet
26. P. I. Baransky, V. V. Kolomoets, Yu. A. Okhrimenko, S. N. Tyshko, “Piezoresistance of $n$-Type Si Degenerate Crystals along and across the Axis of Deformation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1411–1413  mathnet
27. P. I. Baransky, V. V. Savyak, Yu. V. Simonenko, “Negative Piezoresistance in Transmutationally Doped $n$-Type Si Crystals under Uniaxial Elastic Deformation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  947–949  mathnet
28. I. S. Buda, P. I. Baransky, “Nernst–Ettingshausen Tensor in Uniaxially Deformed Semiconductors of Cubic System. I”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  497–501  mathnet
1984
29. P. I. Baransky, E. N. Vidalko, V. V. Savyak, “« Внутризонная» анизотропия рассеяния носителей тока в пластически деформированном $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984),  2224–2227  mathnet
30. P. I. Baransky, S. L. Korolyuk, P. G. Ostafiichuk, “Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2053–2056  mathnet
31. P. I. Baransky, I. S. Buda, V. S. Borenko, V. B. Kovalchuk, “Тензор Холла в одноосно деформированных полупроводниках кубической симметрии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1841–1845  mathnet
32. P. I. Baransky, V. V. Savyak, Yu. V. Simonenko, “Temperature Dependence of Anisotropy in Drag Thermoelectromotive Force in Uniaxially Deformed $n$-Туре Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984),  1059–1063  mathnet
33. P. I. Baransky, E. N. Vidalko, V. V. Savyak, “Determination of the Parameter of Drag Thermoelectromotive Force Anisotropy under Deformation of $n$-Type Si in the [110] Direction”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984),  538–540  mathnet
1983
34. P. I. Baransky, V. M. Babich, V. V. Savyak, Yu. V. Simonenko, “Сравнение экспериментальных и теоретических данных по анизотропии рассеяния носителей тока в монокристаллах $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1118–1120  mathnet
35. P. I. Baransky, V. M. Babich, V. L. Borblik, Yu. P. Dotsenko, V. B. Kovalchuk, “Механизмы рассеяния носителей тока, ответственные за формирование магнитопьезосопротивления $n$-Si в области сильных упругих деформаций”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1064–1067  mathnet
1966
36. P. I. Baransky, Yu. P. Iemets, “The electric field in a circular semiconductor plate placed in a magnetic field”, Prikl. Mekh. Tekh. Fiz., 7:5 (1966),  64–72  mathnet; J. Appl. Mech. Tech. Phys., 7:5 (1966), 40–47

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024