|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, “Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992), 22–44  |
|
1990 |
| 2. |
V. V. Mikhnovich, T. V. Firsova, “Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых
диодных структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 181–184 |
|
1989 |
| 3. |
V. V. Mikhnovich, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, N. A. Vitovskiy, “Dependence of the efficiency of homogeneous Frenkel pair annihilation in crystals on irradiation intensity”, Fizika Tverdogo Tela, 31:3 (1989), 306–308 |
| 4. |
V. A. Artem'ev, N. A. Vitovskiy, V. V. Mikhnovich, “Скопление точечных дефектов и их влияние на рассеяние носителей
заряда в полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989), 1395–1399 |
| 5. |
N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, D. S. Poloskin, “Эффективность образования точечных дефектов
в $n$- и $p$-Ge в условиях
облучения при 77 и 300 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989), 425–428 |
| 6. |
N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, “Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на
энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 184–185 |
|
1988 |
| 7. |
A. V. Vasil'ev, V. V. Mikhnovich, S. A. Smagulova, “Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1137–1139 |
| 8. |
V. A. Artem'ev, V. V. Mikhnovich, S. G. Titarenko, “Модель кинетики формирования областей разупорядочения
в полупроводниках с учетом деформаций”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988), 750–753 |
| 9. |
V. A. Artem'ev, V. V. Mikhnovich, “О влиянии деформации на электростатический потенциал областей
разупорядочения в полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 243–247 |
|
1987 |
| 10. |
V. A. Artem'ev, V. V. Mikhnovich, “On the Recombination on the Regions of Disorder in Semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987), 537–541 |
|
1986 |
| 11. |
V. A. Artem'ev, V. V. Mikhnovich, “Effect of Compressive Stress on the Kinetics of Disorder-Region Formation in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986), 167–170 |
|
1984 |
| 12. |
V. V. Mikhnovich, “Отжиг областей разупорядочения в $n$-кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984), 1670–1673 |
| 13. |
V. V. Mikhnovich, S. G. Titarenko, “Межузельная стадия формирования областей разупорядочения
в $n$-кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984), 1668–1670 |
|
1983 |
| 14. |
V. P. Kozhevnikov, V. V. Mikhnovich, “MODEL OF THE CHARGE DEPENDENCE OF FORMATION REACTIONS OF RADIATION
DEFECTS ACCUMULATIONS IN SEMICONDUCTORS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:7 (1983), 1361–1367 |
| 15. |
V. V. Mikhnovich, S. G. Titarenko, “Зависимость скорости формирования $E$-центров в кремнии от вида
легирующей донорной примеси”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983), 1698–1701 |
| 16. |
V. P. Kozhevnikov, V. V. Mikhnovich, S. G. Titarenko, “Формирование и рекомбинационная эффективность точечных радиационных
дефектов в электростатическом поле областей разупорядочения в $n$-кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983), 786–789 |
| |
|
|
Contact us: