|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
2019 |
| 1. |
D. R. Devet’yarov, M. A. Eronyan, V. N. Lomasov, A. F. Opalihin, Y. A. Skupov, B. A. Sobol, A. A. Untilov, “A compact cryothermostat with solid carbon dioxide refrigerant”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:24 (2019), 3–5   ; Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1220–1222 |
|
1990 |
| 2. |
L. S. Berman, N. A. Vitovskiy, V. N. Lomasov, V. N. Tkachenko, “О природе $K$-центра в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990), 2186–2190 |
| 3. |
L. S. Berman, V. N. Lomasov, V. N. Tkachenko, “О применимости метода температурной зависимости емкости и активной
проводимости для определения параметров глубоких центров
в перекомпенсированном полупроводнике”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1841–1847 |
| 4. |
L. S. Berman, N. A. Vitovskiy, V. N. Lomasov, V. N. Tkachenko, “Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его
зависимость от температуры”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1816–1822 |
| 5. |
L. S. Berman, N. A. Vitovskiy, V. B. Voronkov, V. N. Lomasov, V. N. Tkachenko, “Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных
дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога
дефектообразования”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990), 1213–1215 |
| 6. |
N. V. Kolesnikov, V. N. Lomasov, S. E. Malkhanov, “Влияние интенсивности электронного облучения на накопление
$K$-центров в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990), 372–374 |
|
1989 |
| 7. |
L. S. Berman, V. A. Zhepko, V. N. Lomasov, V. N. Tkachenko, “О природе радиационных дефектов в $n$-кремнии, облученном электронами
с энергией вблизи порога дефектообразования”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989), 2129–2132 |
| 8. |
N. V. Kolesnikov, V. N. Lomasov, S. E. Malkhanov, “Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий
в кремнии при электронном облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989), 1921–1926 |
| 9. |
L. S. Berman, N. A. Vitovskiy, V. B. Voronkov, V. N. Lomasov, A. D. Remeshok, V. N. Tkachenko, M. G. Tolstobrov, “Скорость введения и профиль концентрации $A$-центров в $n$-кремнии,
облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 753–756 |
| 10. |
Yu. N. Kazarinov, V. N. Lomasov, “Кинетика накопления доноров в селениде свинца при корпускулярном
облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 177–178 |
|
1988 |
| 11. |
N. V. Kolesnikov, V. N. Lomasov, S. E. Malkhanov, “Спектр и пространственное распределение радиационных дефектов
в облученном протонами кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988), 534–536 |
|
1987 |
| 12. |
Yu. F. Shulpyakov, R. F. Vitman, L. S. Vlasenko, A. N. Dremin, A. A. Lebedev, V. N. Lomasov, T. G. Utkina, “Properties of high pressure deformed silicon crystals”, Fizika Tverdogo Tela, 29:5 (1987), 1486–1491 |
| 13. |
V. V. Kozlovskii, V. N. Lomasov, G. M. Guryanov, A. P. Kovarskii, “Boron and Hydrogen Anomalous Distribution at Considerable Depths in Silicon after Diffusion Stimulated by Proton-Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987), 1238–1241 |
| 14. |
N. V. Kolesnikov, V. N. Lomasov, S. E. Malkhanov, “Rate of Formation of $A$ Centers and Divacancies in $n$-Type Silicon under Electron Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987), 1136–1138 |
| 15. |
V. V. Kozlovskii, V. N. Lomasov, “Proton-Stimulated Diffusion of Phosphorus Implanted into Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987), 360–362 |
|
1986 |
| 16. |
Yu. N. Kazarinov, V. V. Kozlovskii, V. N. Lomasov, M. V. Pitkevich, “Effect of Electron Irradiation on Impurity Diffusion in Monocrystalline Semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986), 1577–1581 |
| 17. |
A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, V. N. Lomasov, T. V. Mashovets, “Rate of $A$-Center Formation in Silicon under Electron Pulsed Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986), 164–167 |
|
1985 |
| 18. |
V. N. Lomasov, V. V. Kozlovsky, N. V. Marutshak, “DIFFUSION OF THE SUBSTITUTION IMPURITY IN THE ION-IRRADIATED CRYSTAL”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:11 (1985), 2175–2178 |
| 19. |
V. V. Kozlovskii, V. N. Lomasov, “Effect of Oxygen on Boron Redistribution in Silicon under High-Temperature Proton Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985), 143–145 |
|
1984 |
| 20. |
V. V. Kozlovskii, V. N. Lomasov, “REDISTRIBUTION OF A CHARGED ADMIXTURE IN A SEMICONDUCTOR IN CONDITIONS
OF PROTON-STIMULATED DIFFUSION”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:6 (1984), 1157–1162 |
| 21. |
N. V. Kolesnikov, V. N. Lomasov, S. E. Malkhanov, Ya. Ya. Pilkevich, “Зависимость концентраций радиационных дефектов в кремнии
$p$-типа от интенсивности облучения быстрыми электронами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1496–1497 |
| 22. |
V. V. Kozlovskii, V. N. Lomasov, G. M. Gur'yanov, A. P. Kovarskiy, “Antimony Diffusion in Silicon Stimulated by Protons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984), 958–960 |
| 23. |
V. V. Kozlovskii, V. N. Lomasov, “Effect of Surface on Radiation Defect Formation in Silicon under High-Temperature Proton Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984), 956–958 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: