Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Strel'chuk, A M
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 22
Scientific articles: 22

Number of views:
This page:51
Abstract pages:868
Full texts:446

https://www.mathnet.ru/eng/person160610
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2020
1. A. A. Lebedev, A. V. Kirillov, L. P. Romanov, A. V. Zubov, A. M. Strel'chuk, “Development of the processing technique and study of microwave switches based on 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$ diodes”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:2 (2020),  264–267  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:2 (2020), 250–253
2. E. V. Kalinina, A. A. Katashev, G. N. Violina, A. M. Strel'chuk, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural, electrical, and optical properties of 4$H$-SiC for ultraviolet photodetectors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:12 (2020),  1368–1373  mathnet  elib; Semiconductors, 54:12 (2020), 1628–1633
3. A. M. Strel'chuk, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Characteristics of Schottky rectifier diodes based on silicon carbide at elevated temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:12 (2020),  1364–1367  mathnet  elib; Semiconductors, 54:12 (2020), 1624–1627
4. V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteĭn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:6 (2020),  35–37  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 6
2019
5. A. A. Lebedev, M. E. Levinshteĭn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:12 (2019),  1604–1608  mathnet  elib; Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 5
2018
6. A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, “Radiation-induced damage of silicon-carbide diodes by high-energy particles”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1651–1655  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1758–1762 5
2017
7. V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, K. S. Davydovskaja, A. È. Vasil'ev, L. F. Makarenko, “Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of $n$-4$H$-SiC (CVD) epitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  311–316  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 299–304 3
8. A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, A. N. Yakimenko, A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, “A study of the effect of electron and proton irradiation on 4$H$-SiC device structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:22 (2017),  63–67  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1027–1029 6
2016
9. A. E. Kalyadin, N. A. Sobolev, A. M. Strel'chuk, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, “Effect of the fabrication conditions of SiGe LEDs on their luminescence and electrical properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  250–253  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 249–251 2
1991
10. M. M. Anikin, A. N. Andreev, A. A. Lebedev, S. N. Pyatko, M. G. Rastegaeva, N. S. Savkina, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  328–333  mathnet
1990
11. M. M. Anikin, N. I. Kuznetsov, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, “Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1384–1390  mathnet
12. B. S. Kondrat'ev, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, M. L. Tiranov, “Электрические характеристики и температурный коэффициент напряжения пробоя микроплазм в низковольтных карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990),  647–652  mathnet
1989
13. M. M. Anikin, V. V. Evstropov, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, “Разновидность неклассического термоинжекционного тока в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989),  1813–1818  mathnet
14. M. M. Anikin, V. V. Evstropov, I. V. Popov, V. N. Rastegaev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, “Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  647–651  mathnet
1988
15. M. M. Anikin, M. E. Levinshteĭn, I. V. Popov, V. P. Rastegaev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, “Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1574–1579  mathnet
16. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, V. P. Rastegaev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, Yu. M. Tairov, V. F. Cvetkov, V. E. Chelnokov, “Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  298–300  mathnet
1987
17. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, V. I. Levin, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, Yu. M. Tairov, V. F. Cvetkov, V. E. Chelnokov, “Formation of $Si\,C$ epitaxial R-P-structures of sublayers, obtained from volume $Si\,C$ crystals”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:19 (1987),  1168–1171  mathnet
1986
18. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. V. Suvorov, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Structures with Ionically Implanted p${-}$n Junction Based on Epitaxial $4H$-SiC with $S$-Like Current–Voltage Characteristic”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1654–1657  mathnet
19. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. V. Suvorov, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Study of Current-Voltage Characteristics of Diode Structures Based on Silicon Carbide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  844–848  mathnet
20. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, I. V. Popov, A. V. Strel'chuk, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Tension limitations obtained by carbide-silicon R-P-structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:13 (1986),  773–776  mathnet
1985
21. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, A. M. Strel'chuk, A. L. Sirkin, I. V. Popov, V. E. Chelnokov, “Tunnel-diode based on $Si\,C$”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:16 (1985),  976–978  mathnet
22. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, I. V. Korkin, Ya. V. Morozenko, I. V. Popov, T. A. Sidorova, A. M. Strel'chuk, V. E. Chelnokov, “Silicon-carbide R-P-structures produced by liquid epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  238–241  mathnet
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024